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2024-09-09 07:56 |
TechWiz LCD 2D应用:多畴IPS仿真
1. 建模任务 !AL?bW 1.1 模拟条件 -EU~
%/=m+ 模拟区域:0~10 Qhn>aeW, 边界条件:Periodic b=Q%Jxz? 偏移角度:12°(Domain A),-12°(Domain B) 5kj=Y]9\I 单位长度:0.5 js=w!q0)9 IAbH_+7O RYX=;n 1.2堆栈结构 oVnHbvP1X UrB{jS? 2. 建模过程 9t0NO-a 2.1设置模拟条件 eN
I6V/\` g*:f#u5 HBgt!D0MZ 2.2创建堆栈结构,修改各层参数 7ZpU -': {UEZ:a pd}af iF 2.3创建掩膜并生成多畴结构 fYZ)5xnj lV<j?I~?Q 3. 结果分析 *ps")?tlC 3.1 指向矢分布和透过率 v!?>90a ,7|2K &C5 B976{;QvXV 3.2所有畴的V-T曲线 Z6r_T C+c;UzbD '${xZrzmt 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围 ^Zw1X6C5~
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