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2024-08-12 11:06 |
TechWiz LCD 2D应用:多畴IPS仿真
xZPSoxu 1. 建模任务 ]ms#*IZ 1.1 模拟条件 Q[scmP^$^ 模拟区域:0~10 m,aJ(8G 边界条件:Periodic 8,=Ti7_ 偏移角度:12°(Domain A),-12°(Domain B) IyIh0B~i 单位长度:0.5 qqQnL[`)C nVw]0Yl :ZL;wtT 1.2堆栈结构 D4G*K*z,w4 D}px=? 2. 建模过程 !V$nU8p| 2.1设置模拟条件 X_+`7yCi"x 7<x0LW jpZX5_o 2.2创建堆栈结构,修改各层参数 < Upn~tH -aLBj?N c[ 6g29!F`y 2.3创建掩膜并生成多畴结构 je9[S_Z:Y ,!F'h:
3. 结果分析 Run)E*sf 3.1 指向矢分布和透过率 yopEqO ,f0cy\.? V%dMaX>^i 3.2所有畴的V-T曲线 1Ls@| k^z)Vu|f. V!3G\*$? 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围 'SYj Ehvw
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