讯技bill |
2024-08-12 11:06 |
TechWiz LCD 2D应用:多畴IPS仿真
UG48g} 1. 建模任务 OES+BXGX 1.1 模拟条件
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V) 模拟区域:0~10 )MW.Y 边界条件:Periodic ShHm7+fV
偏移角度:12°(Domain A),-12°(Domain B) E@P8-x'i 单位长度:0.5 xC!, v 0& zn>*^h0B +:wOzTUN 1.2堆栈结构 g5X+iV m_Z%[@L 2. 建模过程 Bk>Ch#`Bw 2.1设置模拟条件 `gD'q5.z;3 US0)^TKrj *w59BO&M4 2.2创建堆栈结构,修改各层参数 Y*B}^!k6 xhj
A!\DS Zz,E4+'Rm 2.3创建掩膜并生成多畴结构 \qi=Us|= KE&Y~y8O\ 3. 结果分析 n4qj"xQ 3.1 指向矢分布和透过率 X@5!I+u\L 5A Vo#}&\ Pfe&wA't 3.2所有畴的V-T曲线 I/_`/mQ )#9/vIQ 73rr">
9#0 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围 IdUMoLL?
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