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讯技bill 2024-08-12 11:06

TechWiz LCD 2D应用:多畴IPS仿真

UG48g}  
1. 建模任务 OES+BXGX  
1.1 模拟条件 }r*t V)  
模拟区域:0~10 )MW.Y  
边界条件:Periodic ShHm7+fV  
偏移角度:12°(Domain A),-12°(Domain B) E@P8-x'i  
单位长度:0.5 xC!,v 0&  
zn>*^h0B  
+:wOzTUN  
1.2堆栈结构
 g5X+iV  
m_Z%[@L  
2. 建模过程 Bk>Ch#`Bw  
2.1设置模拟条件 `gD'q5.z;3  
US0)^TKrj  
*w59BO&M4  
2.2创建堆栈结构,修改各层参数 Y*B}^!k6  
xhj A!\DS  
Zz,E4+'Rm  
2.3创建掩膜并生成多畴结构
\qi=Us|=  
KE&Y~y8O\  
3. 结果分析 n4qj"x Q  
3.1 指向矢分布和透过率 X@5!I+u\L  
5A Vo#}&\  
Pfe&wA't  
3.2所有畴的V-T曲线 I/_`/mQ  
) #9/vIQ  
73rr"> 9#0  
3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围 IdUMoLL?  
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