TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
1. 建模任务 m}]{Y'i] R
1.1 模拟条件 QK-aH1r
模拟区域：0~10 +b|F_
边界条件：Periodic P3oYk_oW
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） ?%O>]s
单位长度：0.5 yzS]FwW7
)PYPlSQ*V
[attachment=128857] s9?mX@>h
1.2堆栈结构 LO`0^r
[attachment=128858] JX59n%$@
2. 建模过程 < 5zR-UA >
2.1设置模拟条件 {wS i?;[Gq
e{)giJY9
[attachment=128859] W|P AI [N
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 V.~kG ,Ht
8F sQLeOE
[attachment=128860] [attachment=128861] R`j"iC2
2.3创建掩膜并生成多畴结构 t^ #1=nK
[attachment=128862] i q;\},
3. 结果分析 8 lF 9LZ8
3.1 指向矢分布和透过率 > X~\(|EM
!yNU -/ K
[attachment=128863] a"( Ws]K
3.2所有畴的V-T曲线 z teu{0
d6i}xnmC
[attachment=128864] Q2fxsa[
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 S>lP?2J
dDcQSsh L
[attachment=128865]
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