TechWiz LCD 2D应用:多畴IPS仿真
1. 建模任务 j{j5TvsrY 1.1 模拟条件 Q=61.lP6 模拟区域:0~10 bcq&yL'D 边界条件:Periodic d6a3\f 偏移角度:12°(Domain A),-12°(Domain B) ppo0DC\> 单位长度:0.5 d#OAM;0}5 R<
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[attachment=128857] ]$uC~b 1.2堆栈结构 hFo29oN
[attachment=128858] *c\XQy 2. 建模过程 OxPl0-]t 2.1设置模拟条件 hF{gN3v5 * RyU*au
[attachment=128859] >8ryA$ 2.2创建堆栈结构,修改各层参数 A=0{}B# ^Ze(WE)
[attachment=128860] [attachment=128861] Q*Y-@lZ 2.3创建掩膜并生成多畴结构 8_E(.]U
[attachment=128862] 'A>?aUq]: 3. 结果分析 m_;fj~m 3.1 指向矢分布和透过率 Xt:$H6
y 8k3y"239t
[attachment=128863] H~TuQ 3.2所有畴的V-T曲线 }K={HW1> x|yJCs>
[attachment=128864] &XV9_{Hm 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围 |gWA'O0S _|4R^*/4
[attachment=128865]
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