TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
1. 建模任务 n\u3$nGL1`
1.1 模拟条件 2C#b-Y 1~N
模拟区域：0~10 fnK H<
边界条件：Periodic wc?YzXP+
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） U|v@v@IBA
单位长度：0.5 fDwqu.K
(} Y|^uM,
[attachment=128857] ai;- _M+$
1.2堆栈结构 q5~"8]Dls
[attachment=128858] u\u6< [>P
2. 建模过程 S(G&{KG
2.1设置模拟条件 J1Oe`my
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[attachment=128859] ?y,z
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 }ssL;q
a 9Kws[
[attachment=128860] [attachment=128861] \hZye20
2.3创建掩膜并生成多畴结构 M^0^l9 w
[attachment=128862] b;"Z`/h
3. 结果分析 4']eJ==OH
3.1 指向矢分布和透过率 'v%v*Ujf[
AP0z~e
[attachment=128863] ^-% O
3.2所有畴的V-T曲线 -8z@FLUK-
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[attachment=128864] HlXEU$e
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 3Cg0^~?6-
~!"z`&
[attachment=128865]
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