TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
1. 建模任务 b
=R9@!
1.1 模拟条件 YTV|]xpR
模拟区域：0~10 z99jW<*0
边界条件：Periodic \!s0H_RJY
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） d5l] .%~
单位长度：0.5 lj"72
cp L '
[attachment=128857] Z
lR2
1.2堆栈结构 LseS8F/q
[attachment=128858] /tu\q
2. 建模过程 z0xw0M+X
2.1设置模拟条件 [Q:mLc
JXk<t5@D
[attachment=128859] BiD}C
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 z1m$8-4
?f4jqF~Fh
[attachment=128860] [attachment=128861] J:G ~ 9~V^
2.3创建掩膜并生成多畴结构 iU "{8K,
[attachment=128862] T )"U q
3. 结果分析 9t_N 9@
3.1 指向矢分布和透过率 Nj$h/P
E2yL9]K2
[attachment=128863] :{M1]0 NH
3.2所有畴的V-T曲线 7(]M`bBH
#uCE0}N@
[attachment=128864] 97M byEE8J
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 9s`j@B0N57
m$ 80D,3
[attachment=128865]
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