离子源前处理时间问题-光学薄膜设计,工艺与设备-光行天下-最大的光电技术社区-光学,光电,光机技术及其软件运用交流社区!

首页 -> 登录 -> 注册 -> 回复主题 -> 发表主题

光行天下 -> 光学薄膜设计,工艺与设备 -> 离子源前处理时间问题 [点此返回论坛查看本帖完整版本]

[打印本页]

wpawj	2024-05-16 23:01
离子源前处理时间问题请教一下，镀膜前的离子源前处理时间多长合适，有什么依据或者判定标准吗？

ouyuu

2024-05-17 08:57

和离子源能量强度有关，哪怕同一个离子源，新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是
1，用氧离子氧化表面的脏污（脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧，氧化后都变成气体挥发了）
2，用重离子把表面打出凹凸不平的效果，增加表面的结合力。
所以也和你清洗效果，清洗方式，镀膜温度，镀膜材料有关。

zhangsui666	2024-05-17 17:48
一般来说轰击15分钟左右就够，但是还是在进炉前清洗工作一定要仔细，离子源主要为了辅助沉积。

renlgj	2024-07-21 17:12
学习一下，新手中

renlgj	2024-07-27 15:36
学习了，谢谢各位大神

gaofei555

2024-07-30 08:38

ouyuu:和离子源能量强度有关，哪怕同一个离子源，新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 |n3PznV
1，用氧离子氧化表面的脏污（脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧，氧化后都变成气体挥发了） qtTys gv
2，用重离子把表面打出凹凸不平的效果，增加表面的结合力。 o(w1!spA
所以也和你清洗效果，清洗 .. (2024-05-17 08:57) Pv{ {zyc

学习了

cwl563590

2024-12-08 20:27

ouyuu:和离子源能量强度有关，哪怕同一个离子源，新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 ~qLbyzHaB
1，用氧离子氧化表面的脏污（脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧，氧化后都变成气体挥发了） LCK
2，用重离子把表面打出凹凸不平的效果，增加表面的结合力。 @P6K`'.0
所以也和你清洗效果，清洗 .. (2024-05-17 08:57) 3'Q H\t5

学习了。感谢版主分享。

kizu123	2025-12-03 15:13
感谢版主分享

查看本帖完整版本: [-- 离子源前处理时间问题 --] [-- top --]