首页 -> 登录 -> 注册 -> 回复主题 -> 发表主题
光行天下 -> 光学薄膜设计,工艺与设备 -> 离子源前处理时间问题 [点此返回论坛查看本帖完整版本] [打印本页]

wpawj 2024-05-16 23:01

离子源前处理时间问题

请教一下,镀膜前的离子源前处理时间多长合适,有什么依据或者判定标准吗?
ouyuu 2024-05-17 08:57
和离子源能量强度有关,哪怕同一个离子源,新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 L r,$98Dy  
1,用氧离子氧化表面的脏污(脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧,氧化后都变成气体挥发了) bP[/  
2,用重离子把表面打出凹凸不平的效果,增加表面的结合力。 = 2k+/0ZbP  
所以也和你清洗效果,清洗方式,镀膜温度,镀膜材料有关。 X*sF-T$.  
zhangsui666 2024-05-17 17:48
一般来说轰击15分钟左右就够,但是还是在进炉前清洗工作一定要仔细,离子源主要为了辅助沉积。
renlgj 2024-07-21 17:12
学习一下,新手中
renlgj 2024-07-27 15:36
学习了,谢谢各位大神
gaofei555 2024-07-30 08:38
ouyuu:和离子源能量强度有关,哪怕同一个离子源,新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 t+&WsCN  
1,用氧离子氧化表面的脏污(脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧,氧化后都变成气体挥发了) kqy Y:J  
2,用重离子把表面打出凹凸不平的效果,增加表面的结合力。 CV`  I.  
所以也和你清洗效果,清洗 .. (2024-05-17 08:57)  y.>r>o"0  
6S<pWR~  
学习了
cwl563590 2024-12-08 20:27
ouyuu:和离子源能量强度有关,哪怕同一个离子源,新栅网和旧栅网的能量差距也有50%以上。前处理的目的主要是 0"ZRJl<)[I  
1,用氧离子氧化表面的脏污(脏污的主要成分是碳、氮、氢、氧,氧化后都变成气体挥发了) A$ s4Q0Mf  
2,用重离子把表面打出凹凸不平的效果,增加表面的结合力。 or0f%wAF  
所以也和你清洗效果,清洗 .. (2024-05-17 08:57)  iLgWzA  
x ;kW }U  
学习了。感谢版主分享。
查看本帖完整版本: [-- 离子源前处理时间问题 --] [-- top --]

Copyright © 2005-2025 光行天下 蜀ICP备06003254号-1 网站统计