TechWiz LCD 2D应用：多畴IPS仿真
. 建模任务 jN!sL W
1.1 模拟条件 Q VWVZ >l
模拟区域：0~10 SQDc%I>b
边界条件：Periodic 7E R!>l+
偏移角度：12°（Domain A），-12°（Domain B） %m "9 =C
单位长度：0.5 .Iv`B: 4
[attachment=123408] z=qxZuFkDs
14p{V} f3
1.2堆栈结构[attachment=123409] -8&P1jrI
gg$:U
2. 建模过程 {1'M76T
2.1设置模拟条件 6 8nPz".X
[attachment=123410] fILD ~
%Tz dpQp"
2.2创建堆栈结构，修改各层参数 "_ON0._(/
[attachment=123411] [attachment=123412] 0t)5K O
j]6YLM@5$
2.3创建掩膜并生成多畴结构[attachment=123413] z<8WN[fB
! Y'~?BI
3. 结果分析 |S3wCG
3.1 指向矢分布和透过率 D1cnf"y^
[attachment=123414] \|$GB U
W7. QK/@
3.2所有畴的V-T曲线 Wfh+D[^
[attachment=123415] Uk4G9}I
c5t7X-L B
3.3不同电压透过率图，为了方便查看，对每一个电压下的图例范围都初始化，请注意图例颜色轴的范围 M(W-\ L
[attachment=123416]
|
