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ueotek 2023-05-18 09:35

Ansys Lumerical | FDTD 应用:设计光栅耦合器

本文将设计一个光栅耦合器,将光子芯片表面上的单模光纤连接到集成波导。内置粒子群优化工具用于最大化耦合效率,并使用组件S参数在 INTERCONNECT 中创建紧凑模型。还演示了如何使用 CML 编译器提取这些参数以生成紧凑模型。(联系我们获取文章附件) 5*JV )[  
DapQ}2'_  
概述 Rz`@N`U  
}Q`/K;yq  
[attachment=117899] 5c<b|  
t *o7,  
本示例的目标是设计一个 TE 绝缘体上硅 (SOI) 耦合器,该耦合器带有由单模光纤从顶部馈电的布拉格光栅。此设计中的关键品质因数(FOM)是目标波长处的耦合效率。耦合效率对光栅的间距高度敏感p,蚀刻长度le和蚀刻深度he以及光纤的位置x和倾斜角度θ。 W:`5nj]H9  
i'M^ez)u  
[attachment=117900] ge^!F>whr  
tW:W&|q  
这五个参数通常一起优化,以最大限度地提高目标中心波长的耦合效率。由于具有五个参数的暴力 3-D 优化非常耗时,因此此处使用 2-D 和 3-D 模型的组合进行两阶段优化,并且仅改变三个几何参数。设计工作流程包括四个主要步骤。 S8*^ss>?^R  
AU0$A403  
1、初始 2-D 优化:优化光栅的间距 p、占空比 d 和光纤位置 x。 S#P+B*v  
2、最终的 3-D 优化:优化光纤的位置 x 以最小化插入损耗。 ,"@w>WL<9  
3、S 参数提取:运行 S 参数扫描并将结果导出到数据文件。 (YAI,Xnw  
4、紧凑的模型创建:将 S 参数数据导入光学 S 参数元素。 uAp -$?  
"(0oP9lZ  
如下一节所示,主要使用40D仿真并改变光栅的间距、占空比和光纤位置可以获得高于2%的峰值耦合效率。 X"kXNKV/n  
`ajx hp  
使用 CML 编译器生成紧凑模型 p9/bzT34.  
IKvd!,0xf  
要使用CML编译器生成光栅耦合器的紧凑模型,可以使用步骤3中的S参数数据。 n)tU9@4Np  
:0B |<~lX  
运行和结果 >-VWm A  
Mx^y>\X)v  
第 1 步:2D 优化 2y^U k,g  
1、打开 2D 模拟文件。 $=\d1%_R|  
2、进入“优化和扫描”窗口,打开名为“耦合效率优化”的优化项,查看优化设置。 W7%p^;ZQ$  
3、查看设置后,关闭编辑窗口并运行优化。优化应在 10 到20分钟内完成。如果您不想等待,请直接进入最后的 3D 优化步骤。 :[ L{KFQU  
4、优化完成后,可以检索最佳螺距、占空比和位置。右键单击“耦合效率优化”项,然后在上下文菜单中选择“可视化”,然后选择“最佳参数”。 fG<Dhz@  
{V.Wk  
优化完成后,最佳参数结果也将在优化状态窗口中显示,如下所示。品质因数图还显示,由于优化,FOM 已最大化。 ';_1rh  
)i&%cyZw  
[attachment=117901] +:}kZDl@ X  
Dp^"J85}   
第 2 步:3D 优化 ] F*|U`  
1、打开 3D 模拟文件。 1JIG+ZNmd  
2、转到“对象树”窗口,然后选择光栅结构组。 OSU{8.  
3、右键单击选定的结构组,然后在上下文菜单中选择“编辑对象”以打开编辑窗口。在编辑窗口的“属性”选项卡中,您应该会看到来自 2D 优化的最佳光栅间距和占空比。 1d`cTaQ-  
4、单击确定关闭结构组编辑窗口。 a/#+92C  
5、现在,转到“优化和扫描”窗口,然后选择名为位置优化的优化项目。 F@g17aa  
6、运行选定的优化。这将需要几个小时,因为所有模拟都是3D的。如果您不想等待,请直接转到 S 参数提取步骤。 4/b(Y4$,[r  
7、优化完成后,可以检索最佳光纤位置和预测的耦合效率。右键单击位置优化项,然后选择“可视化”,然后选择“最佳参数”或“最佳fom”。最佳参数结果包含最佳光纤位置x,而最佳品质因数结果包含目标波长的耦合效率。 HB%K|&!+  
Og +)J9#  
优化结束时的优化状态窗口也可以提供如下所示的相同信息: S3ErH,XB.  
: -E,   
[attachment=117902] _0w1 kqW  
z3clUtC+  
第 3 步:S 参数提取 M Z2^@It  
1、再次转到“对象树”窗口,然后选择纤维结构组。 Ocybc%  
2、右键单击所选组,然后在上下文菜单中选择“编辑对象”。 kl=xu3j  
3、在编辑窗口的“属性”选项卡中,应存在最佳纤维位置 x。 B\f"Iirw  
4、再次转到“优化和扫描”窗口,选择名为 S 参数的扫描项并运行扫描。扫描将启动两个模拟,应在大约半小时内完成。 U4]30B{;H  
5、扫描完成后,设备的散射参数变得可用。要查看它们,请右键单击 S 参数扫描项,然后在上下文菜单中选择“可视化”,然后选择“S 参数”。选择标量操作“Abs^2”以查看功率 s 参数 )W#T2Z>N1  
6、要导出 S 参数结果,请右键单击 S 参数扫描项,然后在上下文菜单中选择“导出到互连”。在随后的“导出到互连”窗口中,输入数据文件的名称和位置,然后单击“保存”。 *E.LP1xP  
en%J!<&W{K  
获得的s参数光谱表明,在目标波长下功率耦合效率约为40%,如下图所示: jg?bf/$s  
AHq M7+r9  
[attachment=117903] tp@*=*^I  
C B6A}m  
有关 s 参数提取的详细信息,请参阅此示例的附录部分。 ?gU}[]  
f#1/}Hq/I  
步骤 4:创建紧凑模型 b(/j\NWC  
1、在 INTERCONNECT 中打开 grating_coupler.icp 文件。 36nyu_h:R  
2、将步骤 3 中生成的 S 参数文件导入光纤 N 端口 S 参数元素 (Grating_Coupler)。 3\1#eK'TK.  
3、运行仿真并可视化输入模式 1 的传输结果。将标量操作切换为“Abs^1”以观察功率传输 -ovoRI^6`}  
B& "RS  
在互连中测量的功率传输与在步骤3中获得的s参数功率传输相同。 lVP |W:~K  
M%3Wy"YQ,n  
[attachment=117904] w#sq'vo4%  
Oc#>QZ3  
重要模型设置 ?HV}mS[t  
oooS s&t  
极化 dIvy!d2l  
所选折射率值代表 SOI 芯片制造工艺。由于硅和氧化硅之间的高折射率对比度,集成波导的两种基本模式(TE和TM)的有效折射率之间存在很大差异。因此,SOI光栅耦合器具有强极化选择性。所提出的设计激发了TE模式,因为这是最常见的选择,但是,也可以针对TM模式设置优化。 *<7l!#  
=x1Wii$`  
倾斜角度 -A}zJBcR  
耦合效率在很大程度上取决于光纤如何与顶部氧化硅包层相遇。在本例中,假设光纤的末端以小角度抛光,以便光纤在安装在顶部包层上时倾斜。这种倾斜可防止反射到光纤中。为简单起见,这里采用了固定的倾斜角度,但是,可以通过允许其变化来改进设计。 7 I@";d8~  
x7H A722w  
蚀刻深度 0 k9<&  
耦合效率对光栅的间距、占空比和刻蚀深度高度敏感。为简单起见,这里采用固定的蚀刻深度,但是,如果可用的制造工艺提供该自由度,也可以改变。 EsTB(9c?  
pcnl0o~  
基板 /22nLc;/Cx  
如果制造器件中存在硅衬底,则应将其包含在仿真中。基板将对光的耦合方式产生明显影响,并且不能像其他器件设计中经常做的那样省略。 ?.Q3 pUT  
Z&-tMai;  
间距 ';Nu&D#Ph  
在最初的二维优化步骤中,如何为光栅间距选择优化范围并不明显。假设蚀刻深度固定 he 和占空比 d  在 [0,1] 范围内,什么是合适的音高范围?这里使用的范围值来自最低阶布拉格条件,它与光栅的间距有关,p到有效索引 neff 光栅数量: lY8`5Uz  
nZxSMN0]  
[attachment=117905] 8TW5(fl  
Jr]gEBX  
λ0是中心波长,nSiO2 是氧化硅顶部包层的折射率和θ是像以前一样的源角度。请注意,此关系假定顶部包层和核心之间的折射率对比度最小,并且对于高折射率对比度系统无效。优化过程中为节距选择的范围可以通过考虑以下两个极值来获得 neff  这是光栅未蚀刻和部分蚀刻区域的板坯模式的有效指标。这些指数可以通过特征模态求解器(如 FDE)获得。最佳 p 值通常略大于布拉格条件预测的值。由于波导上的端口包含板坯模式的有效索引作为其结果之一,因此这种初始猜测很容易计算。 _KN: o10U  
`0rRKlbj4  
结构组 |kseKZ3  
此处使用结构组来更新光栅和光纤的几何基元。对光栅和纤维参数的任何更改都必须使用结构组的接口进行应用。使用结构组的优点是,它们可以将单个参数更改应用于多个基元,但是,它们也可以覆盖对单个几何图形的手动更改。纤维结构组被设置为模拟以一定角度抛光的纤维。这是通过对组中的对象应用轻微旋转并对对象使用“网格顺序”设置来完成的,以便光纤仅向下延伸到光栅耦合器上方的某个点,而不是像布局视图中可能描述的那样完全穿过光纤。这可以通过可视化结构的索引配置文件来验证,如下所示: Q(e{~ ]*  
tvGlp)?.  
[attachment=117906] x}|+sS,g  
-x{&an=  
优化品质因数 (FOM) $it@>L8  
由于设计的目的是在所需波长下实现最佳耦合,因此选择优化品质因数作为通过耦合器在目标波长处的传输,优化算法将尝试最大化该值。此品质因数由“模型”对象中的分析脚本计算。 rI>LjHP  
NV6G.x  
使用参数更新模型 I|T7+{5z  
·在全局端口设置中输入所需的源波长和目标带宽。 Y& 5.9 s@'  
·从模型对象的分析选项卡中选择用于耦合效率优化的目标波长。 jM@?<1  
·根据您的测量设备更新光纤尺寸和折光率值。 Im+ 7<3Z  
·根据您的制造工艺和目标设计偏振修改折射率值和层厚度。 XhN{S]Wn  
·验证两个端口的选定模式是否具有所需的极化;如有必要,调整端口大小。 7h`^N5H.q  
·使用您选择要优化的参数更新优化对象;选择合适的参数范围。 P$OUi!"  
A? r^V2+j  
CML 编译器的参数提取 eF5;[v  
_C$X04bU3V  
[attachment=117907] /tZ0 |B(  
~)?|J  
本节介绍如何使用脚本文件自动提取和保存光栅耦合器的 S 参数。我们假设光栅耦合器已经优化,因此仅执行原始工作流程的第3步概述部分是必要的。此步骤中生成的 S 参数文件可以直接在 CML 编译器中使用,为光栅耦合器创建紧凑模型。 #q;z8 @  
N 2Ssf$  
提取光栅耦合器元件的S参数并使用它来构建光栅耦合器(固定)的步骤 – 铸造模板 – Ansys Optics紧凑模型如下所述: , D"]y~~I5  
#kci=2q_  
1、打开模拟文件 grating_coupler_3D.fsp 和脚本文件 grating_coupler_dataCMLCompiler.lsf。 N&m_e)E5c  
2、运行脚本文件。 Zi*%*nX  
3、复制生成的gc_strip_te_c_S_params.txt文件。将此文件与包中存在的 gc_strip_te_c.lsf 文件一起粘贴到 gc_strip_te_c 元素文件夹中以生成紧凑模型。有关运行CMLC构建紧凑模型的详细信息,请联系工作人员了解。 \<V)-eB   
4、在用于为元件构建紧凑模型的 xml 文件中,更新parameter_fileformat 属性,如下所示。 {OP~8e"  
QD4:W"i  
[attachment=117908] `[Sl1saZ$S  
S/7l/DFb  
进一步推广模型 I .P6l*$  
H %z/v|e6  
S 参数:S 参数提取步骤仅针对TE偏振生成散射参数结果。要添加 TM 极化,只需在集成波导端口上同时选择 TE 和 TM 模式,然后重新运行 S 参数扫描。此更改将为 S 参数扫描添加一个额外的仿真和一个额外的结果。 *)D1!R<\,R  
2D 优化:通过将光栅的蚀刻深度和光纤的倾斜角度添加到优化参数列表中,可以改进初始 2D 优化步骤。改变蚀刻部门可以提高初始耦合效率,而改变倾斜角度可以让您将峰值效率落在中心波长处。根据设计目标,其他品质因数(例如整个频谱上的平均传输率)也可用于优化。 vBoO'l9'M  
3D 优化:最终的 3D 优化步骤可以通过包含多个优化参数来改进。也可以完全绕过二维优化步骤,使用 2-D 模型优化所有五个参数。添加更多的优化参数将大大增加完成优化阶段所需的时间,但可以提高最终设计的耦合效率。 ]2$x| #Gg}  
锥度优化 :3-D耦合器模型使用绝热锥度部分连接到光栅起点的集成波导。耦合效率也可以通过优化锥形来提高(参见 SOI 锥度设计)。 fEwifSp.  
并行化 :如果您有权访问计算机集群,则优化工具可以使用作业管理器并行化 所有必需的模拟。并行化可以大大减少优化时间,因为给定优化生成的所有模拟都可以在单独的机器上独立运行。 3AeH7g4<  
MATLAB 和 Python:为了支持不同的优化算法,Matlab 和 Python API 可用于与其他工具接口,例如 Matlab 优化工具箱或 SciPy 的优化包。 x<>YUw8`  
高效光栅耦合器:在大带宽下效率高于90%的耦合器采用 FDTD 设计,使用更复杂的光栅和混合2/3D优化策略。 N}mh}  
esI'"hVJ  
参考文献 ,Xtj;@~-  
SiTeB)/  
1、基本光栅耦合器设计 :D. Taillaert,F. Van Laere,M. Ayre,W. Bogaerts,D. Van Thourhout,P. Bienstman和R. Baets,“用于光纤和纳米光子波导之间耦合的光栅耦合器”,日本应用物理学杂志,第45卷,第8a期,第6071-6077页,2006年。 M*`hDdS  
2、高级优化 :R. Marchetti,C. Lacava,A. Khokhar,X. Chen,I. Cristiani,D. J. Richardson,G. T. Reed,P. Petropoulos和P. Minzioni,“高效光栅耦合器:新设计策略的演示”,科学报告,文章编号:16670,2017。T. Watanabe,M. Ayata,U. Koch,Y. Fedoryshyn和J. Leuthold,“基于闪耀反反射结构的垂直光栅耦合器”,《光波技术杂志》,第35卷,第21期,第4663-4669页,2017年。
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