OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器
主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: >WDHRC • 定义MMI耦合器的材料; xwof[BnEZ • 定义布局设定; N\g=9o|Q • 创建一个MMI耦合器; rD SYR\cg • 插入输入面; *S:~U • 运行模拟; kF~(B]W( • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 Dn 0L%?_ .
c+m(Pk 1. 定义MMI耦合器的材料 |zpy!X 3 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: 2WFZ6 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ 'A7!@hVy 图1.初始性能对话框 j0; ~2W#G* X%IqZ{{ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” A%W]XEa<
图2.轮廓设计窗口 P7XZ|Td4* bAZoi0LR
3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 ^py=]7[I rBTg"^jsw 图3.电介质材料创建窗口 cE
'LE1DK nWIZ0Nde' 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: /h+ W L − Name : Guide .k]`z>uv − Refractive Index (Re) : 3.3 y&,|+h − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 Gd%i?(U,R 图4.创建Guide材料 3P2{M}WIl `K.C>68 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: B&6NjLV − Name : Cladding ;kk[x8$ − Refractive Index (Re) : 3.27 U+x^!{[/ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 Ul_Zn 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 uNyN[U : x&R'wX- 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: F~
5,-atDM − Name : Guide_Channel vu*e*b$} − 2D profile definition: Guide &<98nT − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 5:IDl1f5 图6.构建通道 yogavCD9b/ 2. 定义布局设定 t[`LG) 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: k;+TN9 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 72OqXa* − Width:2.8 @-dGZ5 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 2j%=o?me^p − Profile:Channel-Guide o{,IO!q w{*kbGB8s7
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置 Ur
xiaE 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: V
,p~,rC − Length:5300− Width:60 HXKM<E{j metn& 图8.设置晶圆尺寸 f-|?He4O] 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding 4)w,gp − 点击OK以激活布局窗口 /=p[k^A
图9.晶圆材料设置 E,6|-V;? 4) 布局窗口 kFp^?+WI%H %Z_O\zRqy) 图10.默认情况下布局窗口显示 MT~^wI0a 5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 p [C
9g − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 *ai~!TR "Wg,]$IvU 图11.调整Z方向和X方向的显示比率 /(JG\Ut 'Eur[~k 图12.最终布局显示 %@vF% 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: 2]mV9B 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 x;7l>uR bHG<B 图13 .绘制第一个线性波动 bs"J]">(N 4}m9, 3LET zsJ
|