OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器
主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: u:eW0Ows" • 定义MMI耦合器的材料; $&Ac5Zo%} • 定义布局设定; ef,F[-2^o • 创建一个MMI耦合器; $BaK'7=3* • 插入输入面; fYs?D+U;PF • 运行模拟; >Ban?3{ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ?}v}U^ e
%& 1. 定义MMI耦合器的材料 z2ds8-z 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: CJ:uYXJJ:z 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ >07shNX BZ}`4W'
图1.初始性能对话框 .2/,XwIr 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” !2wETs? 4"z;CGE7
图2.轮廓设计窗口 iW":DOdi_ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 R^|!^[WE =J`gGDhGY- a\>+=mua
图3.电介质材料创建窗口 t+jIHo 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: XS3{R − Name : Guide +fkP+RVY − Refractive Index (Re) : 3.3 G}s;JJax − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 [:Xn6)qz =P)"NP7f'
图4.创建Guide材料 ]u~Os< 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: |c=d;+ − Name : Cladding rAL1TU(vm − Refractive Index (Re) : 3.27 g&q^.7c} − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 &bn*p.=G kGruo5A
图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Z0{f 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: +J%6bn)U − Name : Guide_Channel o}d2N/T − 2D profile definition: Guide d8D yv#gT − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 @h!U |e~u!V\m
图6.构建通道 2. 定义布局设定 #&}%70R) 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: gYRqqV 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 =z+-l5Gu" − Width:2.8 )_X;9%L7 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
4$..r4@ − Profile:Channel-Guide #j\*Lc"Ur:
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置 %f_FGh ]~$c~*0g 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: 3&O% & − Length:5300 )~1.<((< − Width:60 t>XZ3 图8.设置晶圆尺寸 )J{.Cx<E ="/R5fp 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: Rd`{qW − Material:Cladding [^h/(a` − 点击OK以激活布局窗口 MacL3f 图9.晶圆材料设置 f S(^["*G yjeqv-7 4) 布局窗口 B9%yd*SJ 图10.默认情况下布局窗口显示 .%|OGl ? `'dX/d 5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: 7Ntjx(b$"h − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 "K9vm^xP − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 rOs)B 21/ − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 /+Wb6{lY 图11.调整Z方向和X方向的显示比率 y.L|rRe@P 图12.最终布局显示 L%TxP6z4A \Mobq 3. 创建一个MMI耦合器 L& |