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2021-05-06 15:33 |
浙江大学科研人员发现电子自旋操控的高速开关
近日,浙江大学物理学系郑毅研究员的课题组取得重要突破,首次在黑砷二维电子态中发现了外电场连续、可逆调控的强自旋轨道耦合效应,实现了对自旋的高速精准控制;同时在全新的自旋-能谷耦合的Rashba物理现象中,发现了新奇的量子霍尔态。该研究将对高效率、低能耗自旋电子器件研制提供坚实基础,对进一步加深量子霍尔现象的理解,以及依托拓扑超导器件的量子计算研究具有积极意义。北京时间5月6日,这项研究在线刊发在国际顶级期刊《自然》,论文共同第一作者是浙江大学物理学系的博士研究生盛峰、华陈强、程满,主通讯作者是浙江大学物理学系郑毅研究员;另外两名合作通讯作者分别是中南大学的夏庆林教授和浙大物理学系的许祝安教授。 _{2Fx[m% 34++Rr [G 自旋操控新阀门 Se;?j- rw=UK` 常见的晶体管运行,通过场效应在沟道中注入和抽离电荷实现开关。但作为与电荷具有同等内禀地位的自旋却极容易受到干扰,无法简单地生成运动控制阀门。 :*F3 82Z[eo 自旋的这种不稳定,好比是一个向前行进的不停旋转的陀螺,受到外力作用(散射)就会反转旋转的方向。“要实现自旋驱动的电子器件,就必须先有效地操控自旋的取向,进而就可以用自旋阀门来控制电子的通过与否。”郑毅研究员介绍说:“重元素二维材料体系使得电子自旋的高速精准控制成为可能。电子在晶体周期性势场中的轨道运动会受到重原子对其强烈的吸引,在对称性破缺的情况下产生自旋和运动方向的严格锁定关系,即自旋轨道耦合效应。” \>aa8LOe M<M#<kD 郑毅团队在对薄层黑砷微纳器件的研究中,成功发现加入外电场时,黑砷二维电子态系统的自旋轨道耦合效应可连续、可逆的打开和关闭。这也为后续自旋器件的开发找到了一个控制电子通行的高速开关,如将示意图1中的元器件设置两个同向的铁磁电极,无栅压情况下,注入的电子高速通过黑砷沟道并保持自旋取向不变;施加外电场后,沟道内的电子在自旋轨道耦合作用下发生自旋旋转而被导出电极所阻挡,实现自旋电子开关的功能。 }Uqa8& Xn
ZX *Y]" 与基于电容效应的硅基晶体管相比,上述自旋开关具有切换速度快、发热量少的特点。“未来,科研人员可以利用自旋轨道耦合实现高效的自旋调控,开发自旋场效应晶体管等电子元器件。”谈及应用前景,郑毅如是说。 c4qp3B_w R&x7 | |