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jimmy_ 2020-12-23 14:04

PC基材上镀ITO和AR膜,出现ITO和AR膜裂

PC基底硬化后进行冷镀ITO和AR膜,905nm增透,后工序100℃烘烤2h后ITO和AR(SiO2和TiO2)膜均出现了开裂。 .+5;AtN  
请教下各位大佬,如何进行工艺改善?
jimmy_ 2020-12-26 11:47
路过的大佬请指导一下,谢谢
ouyuu 2021-01-16 01:03
你设备有卤素灯加热吗?PC镀膜最好用卤素灯加热
ouyuu 2021-01-16 17:25
膜裂原因有很多。 |A2o$H  
有些是温度的影响,有些是吸水的影响。 e+y%M  
Ib"fHLWA^!  
PC上镀膜最好镀一个打底层,如SIO2或者AL2O3打底,对膜裂会有很大的改善。 U}GO* +  
另外如果可以的话用离子源辅助镀膜,也会对吸水造成的膜裂会有改善。 )O>M~  
但是离子源会造成温度升高,所以要注意条件。 va!fJ  
vQ >8>V  
实验要多做,各种条件都做一下。 +; =XiB5R  
具体情况具体分析,有时候设备不好也会造成问题的。 fBKN?]BdN  
并不是所有问题都可以用工艺解决的。
jimmy_ 2021-01-26 17:38
ouyuu:膜裂原因有很多。 MgH O WoF  
有些是温度的影响,有些是吸水的影响。 \$,8aRT>#U  
PC上镀膜最好镀一个打底层,如SIO2或者AL2O3打底,对膜裂会有很大的改善。 ~2QD.(  
另外如果可以的话用离子源辅助镀膜,也会对吸水造成的膜裂会有改善。 Q1x=@lXR  
....... (2021-01-16 17:25)  1z@{ 4)  
b>nwX9Y/U  
多谢专家的指导,我们再验证一下! @y,>cDg  
另外请问专家有没有硬化液推荐的,PC硬化后再镀膜的方案我们也想验证一下。 P} Y .  
谢谢!
zhongjiagang 2021-02-08 09:19
PC镀膜的要注意以下几点: B8zc#0!1  
1. 打底层最好用TiO2,厚度要>10nm,不要用SiO2和Al2O3打底,效果不好,百格易NG; mh#_lbe'  
2. 机器不要加热,离子源的能量要设计成一个渐变的过程,一般我的经验是:前2层的离子源能量是后面层的80%; 8/-hODoT_  
3. 如果机器有2次电子捕捉器一定要装上,并且每炉清洁; PsN_c[+  
4. 整个镀膜后的温度控制在70~80℃。
chenenlin 2021-03-15 22:48
zhongjiagang:PC镀膜的要注意以下几点: ~ F>'+9?Sn  
1. 打底层最好用TiO2,厚度要>10nm,不要用SiO2和Al2O3打底,效果不好,百格易NG; }w{E<C(M  
2. 机器不要加热,离子源的能量要设计成一个渐变的过程,一般我的经验是:前2层的离子源能量是后面层的80%; )oZ2,]us!  
3. 如果机器有2次电子捕捉器一定要装上,并且每炉清洁; }bnodb^.7  
4 .. (2021-02-08 09:19)  yn.[-  
2fP;>0?  
经典回复 6ck%M#v  
<>V~  
补充一个,就是材料本身,我验证了很多PC材料,和材料也是有关系的!
sosjinyan 2021-03-26 16:21
ITO 膜  能用电子枪镀膜吗?  看资料是 磁控溅射镀膜
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