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jimmy_	2020-12-23 14:04
PC基材上镀ITO和AR膜，出现ITO和AR膜裂 PC基底硬化后进行冷镀ITO和AR膜，905nm增透，后工序100℃烘烤2h后ITO和AR（SiO2和TiO2）膜均出现了开裂。 wm@j(h4 请教下各位大佬，如何进行工艺改善？

jimmy_	2020-12-26 11:47
路过的大佬请指导一下，谢谢

ouyuu	2021-01-16 01:03
你设备有卤素灯加热吗？PC镀膜最好用卤素灯加热

ouyuu

2021-01-16 17:25

膜裂原因有很多。
有些是温度的影响，有些是吸水的影响。

PC上镀膜最好镀一个打底层，如SIO2或者AL2O3打底，对膜裂会有很大的改善。
另外如果可以的话用离子源辅助镀膜，也会对吸水造成的膜裂会有改善。
但是离子源会造成温度升高，所以要注意条件。

实验要多做，各种条件都做一下。
具体情况具体分析，有时候设备不好也会造成问题的。
并不是所有问题都可以用工艺解决的。

jimmy_

2021-01-26 17:38

ouyuu:膜裂原因有很多。 5%S5*c6BD
有些是温度的影响，有些是吸水的影响。 }c/#WA|b
PC上镀膜最好镀一个打底层，如SIO2或者AL2O3打底，对膜裂会有很大的改善。 r;f\^hVy
另外如果可以的话用离子源辅助镀膜，也会对吸水造成的膜裂会有改善。 kk126?V]_
....... (2021-01-16 17:25) Jur$O,u40l

多谢专家的指导，我们再验证一下！
另外请问专家有没有硬化液推荐的，PC硬化后再镀膜的方案我们也想验证一下。
谢谢！

zhongjiagang

2021-02-08 09:19

PC镀膜的要注意以下几点：
1. 打底层最好用TiO2，厚度要＞10nm，不要用SiO2和Al2O3打底，效果不好，百格易NG；
2. 机器不要加热，离子源的能量要设计成一个渐变的过程，一般我的经验是：前2层的离子源能量是后面层的80%；
3. 如果机器有2次电子捕捉器一定要装上，并且每炉清洁；
4. 整个镀膜后的温度控制在70~80℃。

chenenlin

2021-03-15 22:48

zhongjiagang:PC镀膜的要注意以下几点： RZE:WE;5
1. 打底层最好用TiO2，厚度要＞10nm，不要用SiO2和Al2O3打底，效果不好，百格易NG； Ip0@Q}^
2. 机器不要加热，离子源的能量要设计成一个渐变的过程，一般我的经验是：前2层的离子源能量是后面层的80%； +FVcrL@
3. 如果机器有2次电子捕捉器一定要装上，并且每炉清洁； oB Bdk@
4 .. (2021-02-08 09:19) Mz{ Rh+gS

经典回复

补充一个，就是材料本身，我验证了很多PC材料，和材料也是有关系的！

sosjinyan	2021-03-26 16:21
ITO 膜能用电子枪镀膜吗？看资料是磁控溅射镀膜

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