| 米格实验室 |
2020-08-01 15:47 |
4寸、6寸低应力介质膜代工服务上线(LPCVD)
1. LPCVD简介 n=)LB&
m 15VvZ![$V LPCVD--Low PressureChemical Vapor Deposition低压力化学气相沉积,是化学气相沉积中的一种,LPCVD拥有很均匀的阶梯覆盖性、很好的组成成分和结构的控制、高的output(通常一次可以生长50pcs甚至更多),另外LPCVD不需要载气,因此大大降低了颗粒的污染; k( Ik+=u 在半导体制程中,采用低压的目的是减小自掺杂(来自衬底本身的杂质),而这正是常压CVD面临的主要问题,LPCVD可以很好的解决这一问题。 {sxdDl |)xWQ KzA 2. LPCVD一般工艺流程 aS[y\9(** w_V A:]j4 装片——进舟——反应腔室抽真空——充N2吹扫并升温——再抽真空——保持压力稳定后process——关闭气体并重新抽真空——充N2至常压——取片。 .Tm.M7
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