| 探针台 |
2020-05-13 16:44 |
漏电定位技术微光显微镜EMMI
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漏电定位技术微光显微镜EMMI "~ i#9L/H
对于失效分析而言，微光显微镜是一种相当有用，且效率极高的分析工具，主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中，EHP Recombination会放出光子，例如：在PN Junction加偏压，此时N的电子很容易扩散到P， 而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴做EHP Recombination。 s>"WQ|; 6
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侦测到亮点之情况 m8j#{[NE
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会产生亮点的缺陷：1.漏电结；2.解除毛刺；3.热电子效应；4闩锁效应；5氧化层漏电；6多晶硅须；7衬底损失；8.物理损伤等。侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障：1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置）；2.欧姆接触；3.金属互联短路；4.表面 反型层；5.硅导电通路等。 m-pIFL<^N
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点被遮蔽之情况：埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置，这种情 况可采用Backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及 抛光处理。 #!F8n` C-
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测试范围： )9;kzp/
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故障点定位、寻找近红外波段发光点 y|2g "J
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测试内容： 5"Xo R)
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1.P-N接面漏电；P-N接面崩溃 5D q{"@E
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2.饱和区晶体管的热电子 l<+,(E=
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3.氧化层漏电流产生的光子激发 g]hn@{[
W1M/Z[h6)5
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题
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