| 探针台 |
2020-04-26 15:00 |
FEI Scios 2 DualBeam应用介绍
A!J5Wz>Q5
聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技术指标 5E @V@kw
一、技术指标 jsR1jou6
1、电子束电流范围：1 pA - 400 nA； GgtL./m
2、电子束电压：200eV-30 keV，具有减速模式 zQ [mO
3、电子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) [bp"U*!9P
4、大束流Sidewinder离子镜筒； }vi%pfrB
5、离子束加速电压500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； b{oNV-<&{
6、离子束束流1.5pA-65nA，15孔光阑。 +b XZE
kC+A7k6
二、配置情况 =4[zt^WX"
1、GIS气体注入：Pt沉积 :J"e{|g',
2、ETD SE、T1（筒内低位）、T（高位）探头 J kA~Ol
3、Nav-camTM：样品室内光学导航相机 YGHWO#!Gp
4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自动拼图、NanoBuilder纳米加工软件。 t@ Jo ?0 s
uPqPoI>N!
三、适用样品 x6,RW],FGR
半导体、金属、陶瓷材料微纳加工及观察分析，成分分析 HwcGbbX)
cO8;2u,Gvi
四、检测内容 IP >An8+
1、IC芯片电路修改 eQc!@*:8U
2、Cross-Section 截面分析 3.jwOFH$
3、Probing Pad NlDM/
4、FIB微纳加工 iZ:-V8{
5、材料鉴定 ;gc 2vDMv
6、EDX成分分析 r*g _
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五、设备简介 ^_oLhNoez2
FEI Scios 2 DualBeam系统在Scios系统的基础上进行了升级，更加适用于金属、复合材料和涂层，特点是适用磁性样品、借助漂移抑制对不导电的样品可以进行操作、Trinity检测套件可同步检测材料、形态和边缘对比对度，大大提高效率、软件可以实现三维数据立方体分析金属中夹杂物大小和分布、独有的工作流模式，可以设定程序，降低操作员的难度。在超大样品仓中集成了大尺寸的五轴电动样品台，XY轴具有110mm移动范围，Z方向具有85mm升降空间。 &M2x`
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