| 探针台 |
2020-02-26 14:30 |
半导体样品测试前期准备
;lHr =e7 失效分析样品准备: x[a<mk 失效分析 赵工 半导体元器件失效分析可靠性测试 1月6日 G"h'_7 失效分析样品准备: ZrsBm_Rx 失效分析是芯片测试重要环节,无论对于量产样品还是设计环节亦或是客退品,失效分析可以帮助降低成本,缩短周期。 JpXlBEio% 常见的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,FIB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因为失效分析设备昂贵,大部分需求单位配不了或配不齐需要的设备,因此借用外力,使用对外开放的资源,来完成自己的分析也是一种很好的选择。我们选择去外面测试时需要准备的信息有哪些呢?下面为大家整理一下: -*1J f& 一、decap:写清样品尺寸,数量,封装形式,材质,开封要求(若在pcb板上,最好提前拆下,pcb板子面较大有突起,会影响对芯片的保护)后续试验。 wB.&}p9p 1.IC开封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等 02c':a=7 2.样品减薄(陶瓷,金属除外) be.*#[ 3.激光打标 W"k"IvTW} 4.芯片开封(正面/背面) <J)]mh dm 5.IC蚀刻,塑封体去除 As'=tIro 二、X-RAY:写清样品尺寸,数量,材质(密度大的可以看到,密度小的直接穿透),重点观察区域,精度。 8X[:j&@ 1.观测DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封装的半导体、电阻、电容等电子元器件以及小型PCB印刷电路板 j0oR)du 2.观测器件内部芯片大小、数量、叠die、绑线情况 ?8'*,bK 3.观测芯片crack、点胶不均、断线、搭线、内部气泡等封装 f4fvrL 缺陷,以及焊锡球冷焊、虚焊等焊接缺陷 LY%WD%pL 三、IV:写清管脚数量,封装形式,加电方式,电压电流限制范围。实验人员需要提前确认搭建适合的分析环境,若样品不适合就不用白跑一趟了。 aAD^^l# 1.Open/Short Test 4K\G16'$v 2.I/V Curve Analysis ~E17L]ete 3.Idd Measuring 2LF/H$]o5 4.Powered Leakage(漏电)Test LRL,m_gt 四、EMMI:写清样品加电方式,电压电流,是否是裸die,是否已经开封,特殊要求等,EMMI是加电测试,可以连接各种源表,确认加电要求,若实验室没有适合的源表,可以自带,避免做无用功。 hgPa6Kd 1.P-N接面漏电;P-N接面崩溃 k>;`FFQU> 2.饱和区晶体管的热电子 F1*>y 3.氧化层漏电流产生的光子激发 6^]+[q}3 4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、 y
[}.yyye Hot Carriers Effect、ESD等问题 =;Au<| 五、FIB:写清样品尺寸,材质,导电性是否良好,若尺寸较大需要事先裁剪。一般样品台1-3cm左右,太大的样品放不进去,也影像定位,导电性好的样品分析较快,导电性不好的,需要辅助措施才能较好的分析。切点观察的,标清切点要求。切线连线写清方案,发定位文件。 |-:()yxs "\w 7q 1.芯片电路修改和布局验证 bCRV\myd` 2.Cross-Section截面分析 ]Sf]J4eQ 3.Probing Pad Va"0>KX 4.定点切割 J')o|5S1N 六、SEM:写清样品尺寸,材质,导电性是否良好,若尺寸较大需要事先裁剪。一般样品台1-3cm左右,太大的样品放不进去,也影像定位,导电性好的样品分析较快,导电性不好的,需要辅助措施才能较好的分析。 !fE`4< | |