半导体术语含义（六）
237) Throttle Valve 节流阀 节流阀主要是由一个旋转式阀门及一个用来调整阀门位置的伺服马达所构成，因此只要输入适合的电流，伺服马达便会自动调节阀门的位置来改变节流阀的传导度，以控制真空系统的整体有效抽气速率。 238) Throughput 产能 生产能力，如日产能、月产能、年产能。Through Put为单位工时的产出量，例如某机器每小时生产100片，则称其Through put = l00片/小时。如果每天运作21小时，则每天的Through put为2100片/天。 IC工业系许多昂贵且精密的设备投资，故必须充分利用，维持生产的顺畅，发挥其最大的 效能。故高的Through put为我们评估机器设备的一项很重要的因素之一。除了设备上发挥 其最大产能外，必须要配合人为的力量，如流程安排、故障排除、‥‥等，亦即必须"人机 一体"才能发挥生产的整体效益，达到最高的生产力(Productivity)。 239) Trichloroethane 三氯乙烷 240) Trouble Shooting问题解答 在生产过程，因为4M，即设备、材料、人为、方法等，造成的一切问题而阻碍生产。例如，机器Down机、制程异常…等。工程人员解决以上所发生的问题，使这些"故障"消弭于无形谓之Trouble Shooting。 241) Tungsten 钨 一种金属。用以连接上下两层金属线的中间层，称为“钨插拔”。因为钨的熔点高，热膨胀系数又与硅相当，再加上以CVD法所沉积的钨的内应力并不高，且具备极佳的阶梯覆盖能力，以CVD法来沉积做为插拔用途的金属钨，以成为各VLSI量产厂商的标准制程之一。 242) Ultra High Vacuum 超高真空 在超高真空条件下，单分子层容易形成，并能持续较长时间，这就可以在一个表面尚未被气体污染前，利用这段充分长的时间来研究其表面特性，如摩擦、黏附和发射等；另外，外层空间的能量传输和超高真空的能量传输相似，故超高真空可做空间模拟。 真空度大于10-7Torr ，10-7~10-10 Torr的状态。 J>Rt2K
243) Ultrasonic Cleaning 超音波清洗 通过超音波原理进行的清洗。超音波振荡会产生气泡和紊流，气泡通过轰击爆破将Paticle带走，紊流直接将Paticle冲走。 244) Uniformity 均匀性 （最大值－最小值）/（2*平均值），有两种均匀性：一种是一片Wafer的均匀性（within wafer），测得五个点，然后得到最大值最小值和平均值，再安公式计算。另一种是Wafe之间的均匀性(wafer to wafer)，同样测得最大值和最小值和平均值再计算均匀性。 245) USG (Undoped SiO2) 即没有搀杂的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉积在BPSG下面，以防止BPSG中的P元素渗透到Si表面，影响组件的特性。 246) Up Time 使用率 表示机台可以run货的时间，包含run货的时间及机台lost时间，即除down机时间 247) Vacuum真空 真空系针对大气而言，一特定空间内的部份气体被排出，其压力小于1大气压。 表示真空的单位相当多，在大气的情况下，通称为l大气压，也可表示为760torr或760mmHg或14.7psi。 真空技术中，将真空依压力大小分为4个区域： 1.粗略真空(Rough Vacuum) : 760~1 torr 2.中度真空(Medium Vacuum): 1~10-3 torr 3.高真空 (High Vacuum) : l0-3~10-7torr 4.超高真空(Ultra-High Vacuum): 10-7torr以下 在不同真空，气体流动的型式与热导性等均有所差异，简略而言，在粗略真空，气体的流动称为黏滞流(Viscous Flow)。其气体分子间碰撞频繁，且运动具有方向性;在高真空或超高真空范围，气体流动称为分子流(Molecular Flow)，其气体分子间碰撞较少，且少于气体与管壁碰撞的次数，气体分子运动为随意方向，不受抽气方向影响。在热导性方面，中度真空的压力范围其与压力成正比关系﹒粗略真空与高真空区域，则无此关系。 248) Vacuum Pump真空泵 凡能将特定空间内的气体去除，以减低气体分子数目，造成某种程度的真空状态的机件，统称为真空邦浦。 目前生产机台所使用的真空泵，可分为抽气式的有：旋片泵(ROTARY PUMP)，洛兹泵(ROOTS PUMP)，活塞泵(PISTON PUMP)，扩散泵(DIFFUSION PUMP)。及储气式的有：冷冻泵(CRYO PUMP)，离子泵 (ION PUMP)。 249) Viscosity黏度 "黏度"一词专用于液体，意指当液体接受切应力时(指作用力方向与液体表面不垂直)，液体就会产生形变，所以便定义"黏度"来表示示体产生形变程度的大小。 黏度是可以调整的，因为液体受切应力而形变是巨观形为的表现，所以在液体完全相溶前提下，可以加入不同黏度的溶剂来调整黏度。 250) Vacuum System 真空系统 压力小于1标准大气压的系统。真空系统由以下部分组成：Pump、Valve、Pipe、Gauge、Chamber 251) Valve 阀 控制气流开关和气体流量的组件。Valve主要有以下种类：气动阀（常开或常闭）、手动 阀、电磁阀 252) Vapor Phase 气相 相是一种单一均匀的成分的状态。气相是一种单一均匀的成分的气体状态 253) Vapor Phase Deposition 气相沉积 一种薄膜沉积的方法，在气态下气体反应产物或蒸发物淀积在基体表面的薄膜技术。气相沉积可分为物理气相沉积和化学气相沉积。物理气相沉积又分为蒸镀和溅渡。化学气相沉积又分为APCVD、LPCVD和PECVD。 254) Very Large Scale Integration 超大规模集成电路 255) Via 金属与金属之间的通道 "/XS3s v"s
256) VLF Vertical Laminar Flow垂直层流 在流体的流动状态中，可分为层流 (Laminar Flow)及紊流(Turbulent Flow) 两种。界定值。 一般流体流速较快者其流线 (streamiline)分子易受干扰，且雷诺数大易形成紊流，(雷诺数， 惯性力/粘滞力)。 uJp}9B60_
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离。若为紊流，则微尘将滞流不去。因此在无尘室内机台的布置及人员的动作都以 257) Void 孔洞 是一种材料缺陷，会影响材料的致密性，从而影响强度。
258) Wafer 硅片 硅晶圆材料（Wafer）是半导体晶圆厂（Fab）内用来生产硅芯片的材料，依面积大小而有三寸、四寸、五寸、六寸、八寸、十二寸（直径）等规格之分。一根八寸硅晶棒重量约一百二十公斤，切割成一片片的八寸晶圆后，送至八寸晶圆厂内制造芯片电路（Die），这些芯片电路再经封装测试等程序，便成为市面上一颗颗的ＩＣ。但因硅晶棒所切割出的晶圆片中，品质较好者，称为生产晶圆（Prime Wafer），更高级者称为磊晶圆（Epi-Wafer），上述晶圆几乎都集中在硅晶圆棒的「中间」一段，头、尾两端所切割出的晶圆，出现瑕疵的比例较高，大多用做非生产用途，称为测试晶圆（共有Test Wafer或Dummy Wafer或Monitor Wafer等不等名称）， 一片测试晶圆的售价大约是生产晶圆的五成至六成。 259) Wafer Transfer System硅片传送系统 用以实现硅片传送的系统。如硅片的进出炉系统、硅片在cassette与boat、cassette与chamber间的传送系统等等。 260) WELL/Tank井区 WELL即井区。在IC中的组件MOSFET(即金氧半场效晶体管)，常作两型(N及P)相接的方式，即CMOS技术。此时为区分这两种不同型的MOSFET，就须先扩散两个不同型的区域于IC中。此种区域即称为WELL区。 261) Wet Oxidation 湿式氧化 一种热氧化的方式，其反应机理为： 2H2+O2=2H2O 2H2O+Si=SiO2+2H2 温度：875---1100℃ 特点: 生长速率快，但所生成SiO2的质量不好适用于Field oxide 262) Work Function 功函数 功函数：让电子脱离金属原子的临界能量 如果一个能量为EF的金属价电子要脱离金属原子而成为自由电子，它至少获得W-EF的能量，这个能量就是我们所说的功函数。
263) Yield 良率 即合格率，合格的产品占总产品的比例。 lB\j>.c
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