| 探针台 |
2020-02-14 12:13 |
微电子中英文对照词典（一）
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微电子中英文对照词典 PeO] lq
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 sW
}<zGYd
$aB /+,
{o a'@2|tN5Qi)PAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 :1:3Svb<Y
.^Y.oN2T*mAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 "g FxfWIA
:N"F3Z,W[Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 ~j=xi P
Xaz\SpR ha(g)s半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAActive region 有源区 Active component 有源元 n_x0007_Z,|8QFi,C/l,V a
"R7JjH
Active device 有源器件 Activation 激活 z,Ac_x0019_]&Wi 2zz,(RA
Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 love.2icMV \ jE CSV|
f he"L*p*H
Admittance 导纳 Allowed band 允带 8`+? J5i_x001D_| { q[-|ZA bbr
Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 >9ob *6q,
6X}H}-Y"B0Plove.2ic.cnAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 e9C ?N:B
Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 5I/P v$y&b-l :* ^ :T_U
Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 love. +}P%HH]E/p
N ir\Ql7R Nwgu P
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 M)L/d_4ka
*I.BD8e xdPcsox~
Sli#qAnneal 退火 Anisotropic 各向异性的 love.2ic.cn*MDlz-V2C}7oM N fV 3r|Bp
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 Rq) 0i}F
"["^Dk3d@#|x3c%iAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程 >QXzMN}o
;|!\N)q_x0019_Yz半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAAvalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 :pRF*^eU
\v)T'f CAvalanche excitation雪崩激发 m# JI!_~!
9^;wP_x0010__O$B半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FA _1ew(x2J
v"]-l_/n3Qlove.2ic.cnBackground carrier 本底载流子 YydA6IK4
Background doping 本底掺杂 o7.e'1@
Backward 反向 qP7G[%=v
Backward bias 反向偏置 4V u#1%P5r&X
s'X_x0016_X.zwX#kFm @ Pg`JQC|
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 `ruNA>M
1P+O3R[ mb&lCd ^-
+IrZ
;&oy
[u`6^TycP
g WSRy%#
$_sYfU9
b(l0js
u8s!u @D)Z{=>{=5
I L1sqU-gt
wBand 能带 Band gap 能带间隙 /be=u@KV
-HqERTQrBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层 []zua14F6
)Va6}-AT d / prYSRn8
A$F*bBarrier width 势垒宽度 Base 基极 +c--&tBo
(G_x0010_z9g(Y*W j;hBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 Vo\H<_=G
dA)tT @6_!b yY Y Nu`
]'NE.f8NBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Dg8@3M ;FU|7L$H
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 ~h !
13!
7y0Y LUML T0I半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FABias 偏置 Bilateraltch 双向开关 _x001D_{ q)}rq%t.m ;$7v%Ls=
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 "\_x0010_]8@4r_x001D_] xST4 }Mb^f
Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 "a_x0016_Bu;y3R)N_x0010_DVu rFey4 zz z
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 ; DDe.f"
ri#l6Ud^/__x0019_m'{Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 < C'Z H'p
!qm9n_x0012_|@Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 .k[I/z*ns =\ Iu$2r`
B pISp*&
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 9cG<hX9 `F
7Sr%WOvQ_x0007_{0^%B8nlove.2ic.cnBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 &O )T1iN(Z
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 [_x0016_pn,_h#M&?$v:n !77NG4B
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 hJ f2o
T8S8@_x0019_@_x001D_Ep B7alove.2ic.cnBound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 DBreak down 击穿 Break over 转折 "I[ 9[VxskEh
g}[2v"S 'N\&<dT>
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 qM",( Bh
3Y8Jy4U7L7L X`:'i?(yj
\K7t'20
T_LLJ}6M
^1[CBuilt-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 M&KyA
\Z&s,T/ilove.2ic.cnBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 %I'V_x0007_o n-J2/j
n%{_x0012_\ l C5*xQlCq}
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 &w85[zs
_x0012_MRP6Mw&Lz+G `Burn - in 老化 Burn out 烧毁 _x0012_f*Df8YBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 -R(dF_x001D_xD;H &^!h}D%T/
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 半导体技术天地~-[`]Q*S(M'h3ai &eQJfc\a
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 booRrTS
g_x001D_Zh_x0012_Zp#B_x0007_PjCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 mrM4RoO
n;[ %d2!\x%bG
Vn, >< g
s_[ VHPN
rS%[_x0007_j_4mCascade 级联 Case 管壳 =lp1Z>
8D-_ R'K't_x0019_VCathode 阴极 Center 中心 *jITOR!uF`
9]aw.bH'RX_x001D_~Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道 Y3Oz'%B
2}+F;R4y#S
%w
) +V
V'pqxjfd
asVX8 2<
ebChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 j}f [W [2
Y z_x0016_`%{ L
c5% 6Y2W0
TQ ]dW
!L$x:/R9M
g1F a:h半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAChannel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 5l{Ts04k %
_x0012_O| Kz?#C
$IX\O
S,jZ3^
P _!o#e{2|Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 半导体技术天地[S \ xZ .!d.rn
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 `@Oa lg
8S9a-_W W5hQ7N)C.[ ru9zTZZD
Hlove.2ic.cnCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 q7\Ovjs0
TU?/xP_x0019_T#ZyCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 ezm&]F`
dx\/l.b @'6"7g
g ;9a 6pz<
S` LJE0GKChemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 G~,:2
o3
_x0016_J2HgL6klove.2ic.cnChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 2H!uTb(? Ek'j vB0RKk}d5
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 love.2ic.cn4O_0P_x0010_fN's wT,R0~V0
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 w@-M{ ?R
:I4}#V0m_w,yi半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 love.2ic.cn)am9?NC5J B?bW1
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 L |j%S
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 半;F%fS#@%L P8Qyhc
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 :-T*gqj|
$tA Bmi,ztCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 半导r,chip,ic,process,layout,package,FA"Qm-}2A_x001D_b#V_x0012_NB Na{Y}0=^y
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 V3Z]DA
_jv(Z#]!Alove.2ic.cnCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 J9|&p8^"S&ig i)a%!1Ar
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Cus)xV ?)D^~/
A
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 2J GL;U$
Compensated impurities 补偿杂质 iUi>y.}"P
Compensated semiconductor 补偿半导体 &w Xf[kI
b 4?\:{1X=
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路
\M< 3}t
X5\]X.e&xn:sO半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) ;&b.T}Nf06
'X:{U-s9R8x~_x0007_G~互补金属氧化物半导体场效应晶体管 w +]Zva:$#`
Complementary error function 余误差函数 ]=pR
zN_!c;k ke)hkeComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 +_H6Nsc9z X{xBYZv4
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 GL Mm(
,N M5357Q
P =q7Z qP
zY3x&G4oConductor 导体 Conductivity 电导率 \ 6w8" >~)Z
Configuration 组态 Conlomb 库仑 -X j4\u3iq4Cm {i0SS
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 (t+;O;
lT`QZJ#ZConstant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 %EbPI)yY3
}aj GYContact 接触 Contamination 治污AH ?[ 8.A R.o
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 W !w, f;
g F~ n%Xt9G "*1 f;+\
D'\ -a,-J]d0+
p)@%TContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 HBS\<}
L0W_J_x0010_t_x001D_^半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAContra doping 反掺杂 Controlled 受控的 }@ Z56
0M6SaPu}Converter 转换器 Conveyer 传输器 soA|wk\A
Z'Dq$~^S9W}O-cY2HCopper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 a 8k; (/
9b3BS"tz;|'qgc [ ep i#]m
A KCovalent 共阶的 Crossover 跨交 'bc!f#[(z E>'a,!QPv
Critical 临界的 Crossunder 穿交 r,a#}_x0007_EJ%n;|7j5r Y s q'2
Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格 i 9<pqQ
*_3ztd*X;dxZulove.2ic.cnCurrent density 电流密度 Curvature 曲率 -VxTx^)>
N"{ i':ydDOOHA
Z;E z"t&U
&s Pq<l o
?_x0019_b/?r0UCut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 (.w Ie/
*w$li;lC2xlove.2ic.cn grU\2k+{ NX`*%K
} l1X B~]5$-
Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 KqBk~- G
&JG Zc_x0007_IW gCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 VVH.2&`I
5yU'{&X? [FA{x?v kf
p$P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FACzochralshicrystal 直立单晶 7Bv!hy;C_x001D_X'Ge A1'hlAGF
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J） %VYAd)gC
"p:q_x0019_@2T_x0019_y"}+a'Klove.2ic.cn C2LL|jp*
$k?WA c]MDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流 "D_x0007_ii\2^J[Z $vC1 K5sLk
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度 Dt`U2R 0"2=n.##
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 'o|30LzYgQ
W'p(N_x0019_d7X Y,gDecibel (dB) 分贝 Decode 译码 ];'v8)Y
r ay-sf/H(C半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级 .+7;)K
) [0T16
t@u7RL*n:<
A+6 n#
K Fh:w#Z ubDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 x~xa6
@6QFF%}$Y ]f + csB
G_x0016_?(j'kDefeat 缺陷 半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAt3XD_x001D_ae)K.a4Y 4wC+S9I#E^
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 e_x0016_H i n$|#y_x0019_u qs g? -lk5
Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 7z]0}rF\6I_x0019_w O+g3X5f+
Delay 延迟 Density 密度 rSXh;\MfB4
A:h3V_x0016_P;V_x0007_qv0XDensity of states 态密度 Depletion 耗尽 ~U;rw&'H
\DI_x0012_x z<H~ItX,n
e_x0016_EW{_x001D_L2b7\d{ ,'[<bP'%_
b }*.0N;;C
Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 }t.G.^)GVA_x0012_[ @d Jr/6Yx
Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 5 >BK%`
3Q~$K$d \sZDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS ]|`C uc
-t!x_x0019_E q _-7i
p iJ tOfg?)h{dc
B.YsDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 2M # r]
+lA{ Ag_x0019_Z1?P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则 V&-~x^JK
_x0012_B0SKT%E J[f;Xlh
O*\h,k半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADie 芯片（复数dice） Diode 二极管 aW>6NDq(
3X8?j#{,wNH%^Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 ^G6RjJxqp8
7w G8@t)f_x0007_[/D_x001D_M*Rlove.2ic.cnDifference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器 O_Oj|'bBC
Y#ah,b_x0007_]HuKd%A_x0007_ZDifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 !\& ; h
R|wGU)KEc'
K| dso]b/
^]{R.(# z
m6Z*^M:XR p2rUDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 iG9z9y v_x001D_F9_"Y PRz/inru-
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率 love.2ic.cn$@7K(V0t$N . 'Y]R3\M+
yY.F*j_x0007_x` ZDbc
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 -_` >j~
-?2n1H6Xt [半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴 0GJn_@hr
~gGZmT b
e&R6UWc\8?Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 半导体技术天地[ocess,layout,package,FA)R5K%~_x0010_wj)MEc bV ZMW/w
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁 ]Dw]p! @
p o6V}$wT3J
Discharge 放电 Discrete component 分立元件 FJ asS8
:R*j$KYX0L$Z &hRvol\J
3s2jl_x001D_F*X8g_x0019_D;?DDissipation 耗散 Distribution 分布 G "73= 8d
8^2J J~#;<e{\"
&^W|i Xi#
A h Z8 0 !
|j1br,i9a HD(.BW7
k_x0016_rDistributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 lT(oL|{#P
Displacement 位移 Dislocation 位错 lbpq_=
~8lwe*lNV
^*w#\_x0016_r,t5W v半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADomain 畴 Donor 施主 wPz_x0019_M_x0019_Ju Th=eNL]
Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂 love.2ic.cn~3s Il_x0019_I0_9C!`_x0019_{ F7Zwh5W
Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 ]\!?qsT3}
_x0012_N&Q_x0010_F)x_x0012_R2a dDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. :_O%/k1\@
$ZN@ U w 47LP
B/FG3}!B)X6~Drift 漂移 Drift field 漂移电场 ,layout,package,FA_x0010_mm$o%g7D4|,CNT fMOU$0]$<
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 s,\#Qta nh eut-U/3: #
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量 {?yr'*
_x0019_h qHxqQ'ks;
n!z+v6v.Yd_x001D_Ru8UDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装 7}X[
4("bB
T i} b,C aWg
Dynamics 动态 L21VS ,#I
Dynamic characteristics 动态属性 e5b_x0007_P_x0010_T;}*l~_x0012_`_x001D_p%|#t 3+XOZh8
Dynamic impedance 动态阻抗 + M@5?ZZ4L
k P~L)x+ }mAa}{_
ELj\[&U
北京芯片半导体实验室：北软检测芯片失效分析实验室，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。
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