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2020-02-10 14:47 |
扫描电子显微镜SEM应用
扫描电子显微镜SEM应用 *`ZB+ \* 扫描电子显微镜SEM分析原理:用电子技术检测高能电子束与样品作用时产生二次电子、背散射电子、吸收电子、X射线等并放大成象 OK-sT7But 谱图的表示方法:背散射象、二次电子象、吸收电流象、元素的线分布和面分布等 WQ[}&kY~ 提供的信息:断口形貌、表面显微结构、薄膜内部的显微结构、微区元素分析与定量元素分析等 (/U)>%n ahNX/3;y LZr0]g{Pu/ SEM测试项目 A<SOT >m] 1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 a|QE *s. 2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 ACigeK^C}E 3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 kS+r"e
.TM >gk z4.* 扫描电子显微镜样品制备比透射电镜样品制备简单,不需要包埋和切片。 StU 4{ 样品要求: =#i4MXRZ{ 样品必须是固体;满足无毒,无放射性,无污染,无磁,无水,成分稳定要求。 :8^M5} 制备原则: 7m:|u*ij2~ 表面受到污染的试样,要在不破坏试样表面结构的前提下进行适当清洗,然后烘干; f]tv`<Q7 新断开的断口或断面,一般不需要进行处理,以免破坏断口或表面的结构状态; 0]T.Lh$3 要侵蚀的试样表面或断口应清洗干净并烘干; 5: daa 磁性样品预先去磁; ><NI'q*cQ 试样大小要适合仪器专用样品座尺寸。 AH2_#\ 常用方法: [1{SY=) 块状样品 YDQ:eebg( 块状导电材料:无需制样,用导电胶把试样粘结在样品座上,直接观察。 I@0z/4H`` 块状非导电(或导电性能差)材料:先使用镀膜法处理样品,以避免电荷累积,影响图像质量。 A~Z6jK O^9CV*]!n 图 块状样品制备示意图 b7B+eN ?z 粉末样品 rv9B}%e 直接分散法: d/D,P=j" 双面胶粘在铜片上,将被测样品颗粒借助于棉球直接散落在上面,用洗耳球轻吹试样,除去附着的和未牢固固定的颗粒。 [%@2o< 把载有颗粒的玻璃片翻转过来,对准已备好的试样台,用小镊子或玻璃棒轻轻敲打,使细颗粒均匀落在试样台。 D]IBB>F 超声分散法:将少量的颗粒置于烧杯中,加入适量的乙醇,超声震荡5分钟后,用滴管加到铜片上,自然干燥。 *16<M)7 $hkq>i \ 镀膜法 sl/=g
真空镀膜 T@TIzz 真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空室中,加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分 子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到固体(称为衬 底或基片)表面,凝结形成固态薄膜的方法。 'yp>L| 离子溅射镀膜 ZgV~W#t 原理: 10wvfRhng 离子溅射镀膜是在部分真空的溅射室中辉光放电,产生正的气体离子;在阴极(靶)和阳极(试样)间电压的加速作用下,荷正电的离子轰击阴极表面,使阴极表面材料原子化;形成的中性原子,从各个方向溅出,射落到试样的表面,于是在试样表面上形成一层均匀的薄膜。 )~ 0}Et l 特点: >i
"qMZ 对于任何待镀材料,只要能做成靶材,就可实现溅射(适合制备难蒸发材料,不易得到高纯度的化合物所对应的薄膜材料); nX0HT
)} 溅射所获得的薄膜和基片结合较好; 1T ( u 消耗贵金属少,每次仅约几毫克; fUC9-?(K 溅射工艺可重复性好,膜厚可控制,同时可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。 jY7=mAd 溅射方法:直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射。 t3PtKgP-6 1.直流溅射 Ntb:en!X 2w+U$6e C 图 直流溅射沉积装置示意图 ^Ye\u1n4 TG}d3ZU
! 已很少用,因为沉积速率太低~0.1μm/min,基片升温,靶材必须导电,高的直流电压,较高的气压。 Ju!(gh 优点:装置简单,容易控制,支模重复性好。 $
+;+:K 缺点:工作气压高(10-2Torr),高真空泵不起作用; *LANGQ"2(i 沉积速率低,基片升温高,只能用金属靶(绝缘靶导致正离子累积) a1Hz3y~S/ 33Jd!orXU 2.射频溅射 xc9YM0B& 6{q;1-8j+j 图 射频溅射工作示意图 C5xag#Z1 (n,u|}8Y 射频频率:13.56MHz {;s;. ,P{m k%=9 特点: UtnZNdlv 电子作振荡运动,延长了路径,不再需要高压。 O] Y v 射频溅射可制备绝缘介质薄膜 {_?rh,9q 射频溅射的负偏压作用,使之类似直流溅射。 "#yJHsu] iPq &Y* 3.磁控溅射 ~9\$5n)a 8WL8/ 原理:以磁场改变电子运动方向,并束缚和延长电子的运动轨迹,提高了电子对工作气体的电离几率,有效利用了电子的能量。从而使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效,可在较低的气压条件下进行溅射,同时受正交电磁场束缚的电子又约束在靶附近,只能在其能量耗尽时才能沉积的基片上。 &(EHq dBSbu=^$ ) 图 磁控溅射原理示意图 k.<3HU + WVIZZ8 q2hFOm 特点:低温,高速,有效解决了直流溅射中基片温升高和溅射速率低两大难题。 3iRA$C-p 缺点: %Y]=1BRk} 靶材利用率低(10%-30%),靶表面不均匀溅射; {:Aw_z:' 反应性磁控溅射中的电弧问题; Y34/+Fi 薄膜不够均匀 [}OgSP9i 溅射装置比较复杂 y}FZD?" "g>.{E5 反应溅射 fH\X 在溅射气体中加入少量的反应气体如氮气,氧气,烷类等,使反应气体与靶材原子一起在衬底上沉积,对一些不易找到块材制成靶材的材料,或溅射过程中薄膜成分容易偏离靶材原成分的,都可利用此方法。 ]PWDE" 反应气体:O2,N2,NH3,CH4,H2S等 !M7<BD}; $<nCXVqL, 镀膜操作
(hB? 将制好的样品台放在样品托内,置于离子溅射仪中,盖好顶盖,拧紧螺丝,打开电源抽真空。待真空稳定后,约为5 X10-1mmHg,按下"启动"按钮,通过调节针阀将电流调至6~8mA,开始镀金,镀金一分钟后自动停止,关闭电源,打开顶盖螺丝,放气,取出样品即可。
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