| 探针台 | 2020-01-09 11:44 | ||
半导体术语解释 （八）（最大值－最小值）/（2*平均值），有两种均匀性：一种是一片Wafer的均匀性（within wafer），测得五个点，然后得到最大值最小值和平均值，再安公式计算。另一种是Wafe之间的均匀性(wafer to wafer)，同样测得最大值和最小值和平均值再计算均匀性。 245) USG (Undoped SiO2) 即没有搀杂的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉积在BPSG下面，以防止BPSG中的P元素渗透到Si表面，影响组件的特性。 246) Up Time 使用率 表示机台可以run货的时间，包含run货的时间及机台lost时间，即除down机时间 247) Vacuum真空 真空系针对大气而言，一特定空间内的部份气体被排出，其压力小于1大气压。 表示真空的单位相当多，在大气的情况下，通称为l大气压，也可表示为760torr或760mmHg或14.7psi。 真空技术中，将真空依压力大小分为4个区域： 1.粗略真空(Rough Vacuum) : 760~1 torr 2.中度真空(Medium Vacuum): 1~10-3 torr 3.高真空 (High Vacuum) : l0-3~10-7torr 4.超高真空(Ultra-High Vacuum): 10-7torr以下 在不同真空，气体流动的型式与热导性等均有所差异，简略而言，在粗略真空，气体的流动称为黏滞流(Viscous Flow)。其气体分子间碰撞频繁，且运动具有方向性;在高真空或超高真空范围，气体流动称为分子流(Molecular Flow)，其气体分子间碰撞较少，且少于气体与管壁碰撞的次数，气体分子运动为随意方向，不受抽气方向影响。在热导性方面，中度真空的压力范围其与压力成正比关系﹒粗略真空与高真空区域，则无此关系。 248) Vacuum Pump真空泵 凡能将特定空间内的气体去除，以减低气体分子数目，造成某种程度的真空状态的机件，统称为真空邦浦。 目前生产机台所使用的真空泵，可分为抽气式的有：旋片泵(ROTARY PUMP)，洛兹泵(ROOTS PUMP)，活塞泵(PISTON PUMP)，扩散泵(DIFFUSION PUMP)。及储气式的有：冷冻泵(CRYO PUMP)，离子泵 (ION PUMP)。 249) Viscosity黏度 "黏度"一词专用于液体，意指当液体接受切应力时(指作用力方向与液体表面不垂直)，液体就会产生形变，所以便定义"黏度"来表示示体产生形变程度的大小。 黏度是可以调整的，因为液体受切应力而形变是巨观形为的表现，所以在液体完全相溶前提下，可以加入不同黏度的溶剂来调整黏度。 250) Vacuum System 真空系统 压力小于1标准大气压的系统。真空系统由以下部分组成：Pump、Valve、Pipe、Gauge、Chamber 251) Valve 阀 控制气流开关和气体流量的组件。Valve主要有以下种类：气动阀（常开或常闭）、手动 阀、电磁阀 252) Vapor Phase 气相 相是一种单一均匀的成分的状态。气相是一种单一均匀的成分的气体状态 253) Vapor Phase Deposition 气相沉积 一种薄膜沉积的方法，在气态下气体反应产物或蒸发物淀积在基体表面的薄膜技术。气相沉积可分为物理气相沉积和化学气相沉积。物理气相沉积又分为蒸镀和溅渡。化学气相沉积又分为APCVD、LPCVD和PECVD。 254) Very Large Scale Integration 超大规模集成电路 255) Via 金属与金属之间的通道   256) VLF Vertical Laminar Flow垂直层流 在流体的流动状态中，可分为层流 (Laminar Flow)及紊流(Turbulent Flow) 两种。界定值。 一般流体流速较快者其流线 (streamiline)分子易受干扰，且雷诺数大易形成紊流，(雷诺数， 惯性力/粘滞力)。
在无尘室芯片制造场所内，其气流为稳定的层流，如此可将人员、机台等所产生的微尘带 离。若为紊流，则微尘将滞流不去。因此在无尘室内机台的布置及人员的动作都以 257) Void 孔洞 是一种材料缺陷，会影响材料的致密性，从而影响强度。 258) Wafer 硅片 硅晶圆材料（Wafer）是半导体晶圆厂（Fab）内用来生产硅芯片的材料，依面积大小而有三寸、四寸、五寸、六寸、八寸、十二寸（直径）等规格之分。一根八寸硅晶棒重量约一百二十公斤，切割成一片片的八寸晶圆后，送至八寸晶圆厂内制造芯片电路（Die），这些芯片电路再经封装测试等程序，便成为市面上一颗颗的ＩＣ。但因硅晶棒所切割出的晶圆片中，品质较好 者，称为生产晶圆（Prime Wafer），更高级者称为磊晶圆（Epi-Wafer），上述晶圆几乎都集中在硅晶圆棒的「中间」一段，头、尾两端所切割出的晶圆，出现瑕疵的比例较高，大多用做非生产用途，称为测试晶圆（共有Test Wafer或Dummy Wafer或Monitor Wafer等不等名称）， 一片测试晶圆的售价大约是生产晶圆的五成至六成。 259) Wafer Transfer System硅片传送系统 用以实现硅片传送的系统。如硅片的进出炉系统、硅片在cassette与boat、cassette与chamber间的传送系统等等。 260) WELL/Tank井区 WELL即井区。在IC中的组件MOSFET(即金氧半场效晶体管)，常作两型(N及P)相接的方式，即CMOS技术。此时为区分这两种不同型的MOSFET，就须先扩散两个不同型的区域于IC中。此种区域即称为WELL区。 261) Wet Oxidation 湿式氧化 一种热氧化的方式，其反应机理为： 2H2+O2=2H2O 2H2O+Si=SiO2+2H2 温度：875---1100℃ 特点: 生长速率快，但所生成SiO2的质量不好适用于Field oxide 262) Work Function 功函数 功函数：让电子脱离金属原子的临界能量 如果一个能量为EF的金属价电子要脱离金属原子而成为自由电子，它至少获得W-EF的能量，这个能量就是我们所说的功函数。 263) Yield 良率 即合格率，合格的产品占总产品的比例。 |
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