探针台 |
2020-01-09 11:42 |
半导体术语解释 (七)
201) Short Channel Effect 短通道效应 C 20VSwd 当MOS组件愈小,信道的长度将随之缩短,电晶体的操作速度将加快,但是,MOS电晶体 L%- ENk 的通道长度并不能无限制缩减,当长度缩短到一定的程度之后,各种因通道长度变小所衍生的问题便会发生,这个现象称为“短通道效应”。 |8GLS4.]t 202) Selectivity选择性 ZU2D.Kf_: 两种材抖,分别以相同的酸液或电浆作蚀刻其两蚀刻率的比值,谓之: wjT#D|soI 例如,复晶电浆蚀: \]\ h,Y8 对复晶的蚀刻率为2OO0Å /min (分) lE8_Q *ev 对氧化层的蚀刻率为20OÅ /min (分) lEb H4 g 则复晶对氧化层的选择性:S QXEZ?gx 20OO Å/min |W&K@g$
S= =10 #c'}_s2F[ 2OO Å/min w=0zVh_`( P*hYh5a 选择性愈高表示蚀刻特性愈好,一般干式蚀刻选择性较化学湿蚀刻为差,吾人取较高的选择性的目的即在于电浆蚀刻专心蚀刻该蚀刻的氧化层,而不会伤害到上层光阻或下层氧化层,以确保蚀刻的完整性。 8p1:dTI5Pb 203) Silicide硅化物 9[`\ZGWD 一般称为硅化物 (Silicide),指耐火金属 (Refratory Metal)的硅化物,如钛 `R lWhdE (Ti)、钨(W)、钼 (Mo)等元素硅(Si)结合而成的化合物 (TiSi2、WSi2、MoSi2)。 _)4zm 硅化物应用在组件的目的,主要为降低金属与硅界面、闸极或晶体管串连的阻抗,以增加组件的性能。以钛的硅化物为例,其制造流程如下所示: j)juvat wWq-zGH|& | |