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探针台 2020-01-09 11:21

半导体术语解释 (三)

77) Evaporation 蒸镀 X> 1,!I9  
       将我们的蒸镀源放在坩埚里加热,当温度升高到接近蒸镀源的熔点附近。这时,原本处于固态的蒸镀源的蒸发能力将特别强,利用这些被蒸发出来的蒸镀源原子,我们在其上方不远处的芯片表面上,进行薄膜沉积。我们将这种方法叫蒸镀 KK1 gNC4R  
nim*/LC[:  
ebm])~ZL  
78) Exposure曝光 4iqoR$3Fc  
          其意表略同于照相机底片的感光 -(~.6WnhS  
          在基集成电路的制造过程中,定义出精细的光阻图形为其中重要的步骤,以运用最广的5X Stepper为例,其方式为以对紫外线敏感的光阻膜作为类似照相机底片,光罩上则有我们所设计的各种图形,以特殊波长的光线(G-LINE 436NM)照射光罩后,经过缩小镜片(Reduction Lens)光罩上的图形则呈5倍缩小后,精确地定义在底片上(芯片上的光阻膜) -d~4A  
           经过显影后,即可将照到光(正光阻)的光阻显掉,而得到我们想要的各种精细图形,以作为蚀刻或离子植入用。 6DM$g=/ '  
因光阻对于某特定波长的光线特别敏感,故在黄光室中,找将一切照明用光源过滤成黄色,以避免泛白光源中含有对光阻有感光能力的波长成份在,这一点各相关人员应特别注意,否则会发生光线污染现象,而扰乱精细的光阻图形。 Vu)4dD!  
79) Extraction Electrode 萃取电极 `Bo*{}E  
Keuf9u  
80) Fab 晶圆厂 aO]ZZleNS  
        Fabrication"装配""制造"之意,与Manufacture意思一样。半导体制造程序,其步骤繁多,且制程复杂,需要有非常精密的设备和细心的作业,才能达到无缺点的品质。FABFabrication的缩写,指的是"工厂"之意。我们常称FAB"晶圆区",例如:进去"FAB"之前须穿上防尘衣。 `e(c^z#  
81) Faraday Cup 法拉第杯 :V1W/c  
是离子植入机中在植入前用来测量离子束电流的装置。 oo,uO;0G  
82) Field Oxide 场氧化层 yyoqX"v[  
      Field直译的意思是。如运动场,足球场和武道场等的场都叫做Field。它的涵义就是一个有专门用途的区域。 52Sa KA[  
     IC内部结构中,有一区域是隔离电场的地方,通常介于两个MOS晶体管之间,称为场区。场区之上大部份会长一层厚的氧化层 ~?D4[D|sB  
                 @ >d*H75  
83) Filament 灯丝 PpGL/,]X  
在离子植入机的离子源反应室里用来产生电子以解离气体用。通常采用钨、钽及钼等高温金属。利用直流电的加热,使灯丝表面释放出所谓热离化电子 %dRo^E1p  
84) Filtration过滤 z{[xze-f  
        用过滤器(FILTER,为一半透明膜折迭而成)将液体或气体中的杂质给过滤掉,此称为Filtration(过滤)故IC制造业对洁净度的要求是非常的严,故各种使用的液体或气体(包括大气)必须借着过滤以达到洁净的要求。 NV)!7~r}:  
待过滤的液体及气体能经过过滤器且成功地将杂质挡下,必须借着一个pump制造压差来完成,如何选择一组恰当的过滤器及PUMP是首要的课题。 | h`0u'#  
85) Fixed Oxide Charge 固定氧化层电荷 )hd@S9Z.Y  
      位于离Si-SiO2接口30Å的氧化层内,通常为正电荷。与氧化条件、退火条件及硅表面方 _p# CwExuy  
向有关。 *v;!-F&8>  
86) Foundry客户委托加工 XxT#X3D/,"  
       客户委托加工主要是接受客户委托,生产客户自有权利的产品,也就是客户提供光罩,由联华来生产制造,在将成品出售给客户,只收取代工费用,这种纯粹代工,不涉及销售的方式在国际间较通常的称呼就叫硅代工(Silicon Foundry)。 FYOD Upn  
87) Four Point Probe四点测针 +awW3^1Ed  
         是量测芯片片阻值(Sheet Resistance)Rs的仪器
y)F;zW<+  
VGfMN|h  
       其原理如下: (hTCK8HK  
上图ABCD四针,AD间通以电流IBC两针量取电压差(ΔV),则   pA`+hQNN  
  Rs = KΔV/ I >NqYyW,%  
   K是比例常数,和机台及针尖距离有关 l]@&D#3ZM  
88) FTIR傅氏转换红外线光谱分析仪 sSOOXdnGG  
FTIR乃利用红外线光谱经傅利叶转换进而分析杂质浓度的光谱分析仪器。 _.>QEh5"5  
     己发展成熟,可 Routine应用者,计有: 6Se?sHC>  
          a. BPSG/PSG的含磷、含硼量预测。 P::TO-C  
          b. 芯片的含氧、含碳量预测 YsG%6&zEq  
          c. 磊晶的厚度量测 ,/YF-L$(t  
          发展中需进一步Setup者有: \X<bH&x:z  
          a. 氮化硅中氢含量预测 il}%7b-  
          b. 复晶硅中含氧量预测 INcg S MM  
          c. 光阻特性分析 kUq=5Y `D  
          FTIR为一极便利的分析仪器,STD的建立为整个量测的重点,由于其中多利用光学原理,芯片状况( i.e.晶背处理状况)对量测结果影响至巨 F|F]970  
89) Gas Cabinet 气体储柜 0n@rLF  
       储存气体钢瓶的柜子,一般是处于负压状态,防止气体泄露到外部。 3Dg,GaRk  
90) Gate 闸极 So{x]x:f  
91) Gate Valve闸阀 ]Gpxhg  
         用来控制气体压力的控制装置。 'HT7_$?*  
通常闸阀开启愈大,气体于反应室内呈现的压力较低,反之,开启愈小,压力较高。 {SwQ[$k=_  
92) Gate Oxide 闸极氧化层 K2 he4<  
93) GOI Gate Oxide Integrity)闸极氧化层完整性 &/mA7Vf>eR  
半导体组件中,闸极氧化层的完整与否,关系着电容上电荷的存放能力,故需设计一适当流程,其主要目的在测闸极氧化层的崩溃电压 (breakdown voltage)、有效氧化层厚度等,以模拟闸极氧化层的品质及可信赖度,通常即以此崩溃电压值表示GOI的优劣程度 qgE 73.!`6  
94) Gettering 吸附 B,M(@5wz  
           Gate OxideMOSFET(金氧半场效晶体管)中,相当重要的闸极之下的氧化层。此氧化层厚度较薄,且品质要求也较严格 y@ ML/9X8q  
       "Gettering"--系于半导休制程中,由于可能受到晶格缺陷"(Crystal Defect) 或金属类杂质污染等的影响,造成组件接口之间可能有漏电流 (Junction Leakage)存在,而影响组件特性;如何将这些晶格缺陷、金属杂质摒除解决的种种技术上做法,就叫做 "Gettering"(吸附),吸附一般又可分"内部的吸附°Intrinsic Gettering。及"外部的吸附"Extrinsic Gettering 2GFLnz  
前者系在下线制造之前先利用特殊高温步让谋晶圆表面的「晶格缺陷或含氧量」尽量降低。 e .]KL('  
后者系利用外在方法如:晶背伤言、磷化物(POCL3)预置ETC将晶圆表面的缺陷及杂质等尽量吸附到晶圆背面。二者均可有效改善上述问题。 EzDk}uKY0R  
95) Grain Size颗粒大小 -0?~  
         直译为颗粒大小。一种晶体材料形成后,从微观的角度来看,材料都是一大堆颗粒累迭在一起而成。这些颗粒有大有小,尺寸不一。而且材料的特性也会因为颗粒大小而变化,故常要注意其大小变化 Kpb#K[(]&  
96) GRR Study Gauge Repeatability and Reproducibility量测仪器重复性与再现 #@^t;)|  
  性的研究 >G);j@Q  
W;_nK4$%'  
         将量测仪器的重复性一仪器本身的变异,再现性--操作人本身的变异,用统计的方法算出,以判断量测仪器是否符合制程参数控制的需要 pV.Av  
T~QWRBO  
97) HEPA高效率过滤器 xG}(5Tt  
         HEPA (High  Efficiency Particulate Air Filter) Clean Room内用以滤去微粒的装置,一般以玻璃维制成,可将0.1μm0.3μm以上的微粒滤去99.97﹪,压力损失约   12.5mm-H2O。层流台能保持Class 100以下的洁净度,即靠HEPA达成。目前除层流台使用  HEPA外,其它如烤箱、旋转机,为了达到控制Particle的效果﹒也都装有HEPA的设计。 I'PeN0T f  
98) H2SO4硫酸 8'~[pMn`  
        Sulfuric Acid 硫酸 Fkvl%n  
         目前最广泛使用的工业化学品。强力腐蚀性,浓稠,油状液体,依纯度不同,由无色至暗棕色,与水以各种不同比例互溶。甚具活性。 5:O-tgig.  
         溶解大部份的金属。浓硫酸具氧化,脱水,磺化大部分的有机化合物,常常引起焦黑。比重1.84,沸点315℃。与水混合时,须格外小心,由于放热引起爆炸性的溅泼,永远是将酸加到水中,而非加水至酸中。不小心被溅到,用大量水冲洗。 kjEEuEv  
         目前在在线,主要用于SO清洗及光阻去除 >2~+.WePu  
99) H3PO4磷酸 io,M{Ib  
   Phosphoric Acid 磷酸 J\d3N7_d  
    无色无味起泡液体或透明晶形固体。依温度,浓度而定。在20 5075﹪强度为易流动液体,85﹪为似糖浆,100%酸为晶体。比重1.834,熔点42.35℃。在213﹪失去Y2H2O,形成焦磷酸。 +6UVn\9Q  
   溶于水,乙醇,腐蚀铁及合金。对皮肤,眼睛有剌激性,不小心被溅到,可用水冲洗。 b`)){LR  
   目前磷酸用于SI3N4的去除,浓度是85﹪,沸点156℃,SI3N4 SIO2的蚀刻比约为30:1 \zieyE  
100) HCl氯化氢(盐酸) s4 6}s{6   
   Hydrochloric Acid盐酸。 f` :i.Sr  
    无色或淡黄色,发烟,剌激性液体。氯化氢的水溶液。盐酸是一种强烈酸性及高腐蚀性酸。市面出售的"浓或发烟酸含有氯化氢38%,比重1.19 7h6,c/<  
    氯化氢溶解在水中有各种不同的浓度。可溶于水,酒精,苯,不可燃。用途广泛。可用于食品加工,金属的酸洗与清洁,工业酸化,一般的清洗,实验试药。  yyv8gH  
    不小心被溅到,用大量水冲洗。目前在线,主要用于RCA清洗 oo.!.Kv  
101) Hillocks 小凸起 Gqcq,_?gt  
金属溅镀后为使金属与硅基(Si-Substrate) 有良好的欧姆式接触需先经融合过程。在融合过程中因铝与硅的热膨胀系数不同,(铝将会膨胀较快),而造成部份的铝无法向外扩张只得向上膨胀造成小山丘状的凸起物Hillock .uyGYj-C  
102) HNO3硝酸 (7XCA,KTGI  
        Nitric Acid硝酸 A$#p%y b  
         透明,无色或微黄色,发烟,易吸湿的腐蚀性液体,能腐蚀大部份金属。其黄色是由于曝光所产生的二氧化氮,为强氧化剂,可与水混合,沸点78℃,比重1.504 h.-@ F  
         对皮肤有腐蚀性,为强氧化剂,与有机物接触有起火危险。 }@Ge}9$ h  
  清洗炉管用。 g0>,%b  
103) Hot electron热电子: a;QMA d!  
以加强型NMOS为例,当MOS管的通道长度变短,通道内的横向电场将增加,这使通道内的电子因电场加速所获得的能量上升,尤其是在通道与漏极相接的附近,电子的能量很高。 因为这些电子的能量比其它尚处在在热平衡状态的电子要高,所以称为热电子。所以漏极附近的电子便有机会被这些热电子撞击而提升至导带,而产生许多的电子-电洞。 Vm(1G8 a  
104) Hot Electron Effect热电子效应 ^xh}I5  
       VLSI的时代 Short Channel Device势在必行,而目前一般 Circuit应用上又未打算更改Supply Voltage;如此一来,Vg = Vds  = 5V情况下,将造成Impact Ionization(撞击游离化)现象发生于Drain 邻近区域。伴随而生的Electron-Hole pairs(电子电洞对),绝大部份经由Drain (Electrons) or Sub. (Holes)导流掉。 但基于统计观点,总会有少部份Electronsi. e. Hot-Electrons)所具Energy,足以克服Si-SiO2 Barrier Height (能障),而射入SiO2 且深陷(Trap)其中。另亦有可能在Hot-Electrons射入过程中打断Si-H键结,而形成Interface TrapSi-SiO2界面。不论遵循上述二者之任一,均将导致NMOS Performance的退化(Degradation)现象。 Lg~B'd8m  
105) HPMhydrochloric acid hydrogen peroxidemixture <Ard 7UT  
HCl+H2O2+DI Water混合液体的简称,常用来去除移动金属离子。 Y^ kXSU  
106) HF x%+aKZ(m)  
Hydrofluoric Acid 氢氟酸,常用来去除氧化层的清洗制程。 Gp4A.\7  
107) IC (Integrated Circuit )集成电路 2WtRJi?b|  
        集成电路是一九五八年由美国的德卅仪器公司所发明的。它是将一个完整的电子电路处理在一块小小的硅芯片上,然后再以金属联机与外在引线相接,外加陶瓷或塑料包装的装置,由于它能将原本需要许多零件的电子电路集中缩小,因此被称为集成电路。它具备优于传统电子电路的三个特性:体积小、价廉、可靠。 XK|R8rhg8`  
  依照其集积化的程度可区分为小型(SSI)、中型(MSI)、大型(LSI)、超大型(VLSI)集成电路 c6nflk.l  
108) Implant离子植入 0KMctPT]p  
        离子注入:将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术,掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定,掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决定 '~ ,p[  
Ø 掺杂的均匀性好 X5X?&* %{  
Ø 温度低:小于600 G 16!eDMt  
Ø 可以精确控制杂质分布 A81ls#is  
Ø 可以注入各种各样的元素 ZKQG:M~|  
Ø 横向扩展比扩散要小得多。 R  zf  
Ø 可以对化合物半导体进行掺杂 BT)X8>ct  
109) Inter-Layer Dielectrics 内层介电材料 (T!9SU  
简称ILD,指第一层金属层与Si底材之间的介电层,我们常用的是BPSG. \[gReaI  
110) Impurity杂质 iXj o[Rz^C  
纯粹的硅是金刚石结构,在室温下不易导电。(如图一)。 usEwm,b)  
这时如加入一些B11 As75取代硅的位置,就会产生"电洞"载子",加以偏压后就可轻易导电。加入的东西即称为杂质。(图二,图三) S,<EEtXQ  
图一 矿石结构 aYuD>rD  
   Si    Si TF 'U  
                |    | qduWzxB  
         Si — Si — Si /1x,h"T\<  
                | ,y+$cM(  
                  Si s3]?8hXd  
4hAl-8~Q6  
图二 电洞 K4]g[z  
        Si    Si 6B@CurgB  
            Ο    | AC;V m: @{  
      Si — B11 — Si ^5A t?I8  
             | jM$`(Y  
            Si xdf82)  
Y`o+XimX  
图三 y`$Q \}fS  
            Si    Si ,Z{d.[$  
             |    | 7\f\!e <  
      Si — As75 — Si {dL?rQ>5L  
             | • lW(px^&IN  
            Si     載子 [5uRS}!  
111) Intrinsic Stress 内应力 UTf9S>HS  
      材质的缺陷与施加与物体的外力,是两个构成物体受应力的主要来源,前者就称为内应(Intrinsic Stress),后者则称为外应力(Extrinsic Stress, Intrinsic Stress是薄膜产生龟裂的主要原因,它又分为拉伸应力(Tensile Stress)和挤压应力(Compressive Stress)两种。 p=C%Hmd5E  
112) Ion Implanter 离子植入机 Kx=4~  
113) Ion Source 离子源 u1z  
       离子植入机中产生所要植入杂质离子的部分,主要由Arc Chamber ,Filament组成,杂质气 N nk@h  
体或固体通入Arc Chamber,由Filament产生的电子进行解离而产生离子。 9*E7}b,  
114) IPA 异丙醇 ukvtQz)  
       Isopropyl Alcohol的简称,在半导体制造中,用来作为清洗溶剂,常用来擦拭机台操 ?V}j`r8|\4  
作面板等,也作为SOG等化学液体的溶剂。 E\IlF 6  
115) Isotropic Etching等向性蚀刻 &Ch#-CUE/  
        在蚀刻反应中,除了纵向反应发生外﹒横向反应亦同时发生(见左图),此种蚀刻即称之为等向性蚀刻,一般化学湿蚀刻多发生此种现象。 `;l?12|X  
         干式蚀刻,其蚀刻后的横截面具有异向性蚀刻特性 (Anisotropic),即可得到较陡的图形(见右图) ^S)cjH`P  
: C b&v07  
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