首页 -> 登录 -> 注册 -> 回复主题 -> 发表主题
光行天下 -> 光电资讯及信息发布 -> 半导体漏电定位技术emmi [点此返回论坛查看本帖完整版本] [打印本页]

探针台 2019-12-27 08:32

半导体漏电定位技术emmi

EMMI(微光显微镜) 7RZ HU+  
[attachment=97501] pt_]&3\e  
对于失效分析而言,微光显微镜是一种相当有用,且效率极高的分析工具,主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中,EHP Recombination会放出光子,例如:在PN Junction加偏压,此时N的电子很容易扩散到P, 而P的空穴也容易扩散至N,然后与P端的空穴做EHP Recombination。 !(8) '<t9  
侦测到亮点之情况 rf=oH }  
会产生亮点的缺陷:1.漏电结;2.解除毛刺;3.热电子效应;4闩锁效应; 5氧化层漏电;6多晶硅须;7衬底损失;8.物理损伤等。 %+ : $uk[  
   9~5LKg7Ac  
侦测不到亮点之情况   \`oP\|Z  
VYw<8AEFY  
不会出现亮点之故障:1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形(埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置);2.欧姆接触;3.金属互联短路;4.表面反型层;5.硅导电通路等。 jb83Y>  
&WJ;s*  
点被遮蔽之情况:埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置,这种情况可采用Backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及抛光处理。 ym;I(TC+  
   ^9zlxs`<d  
[attachment=97502] j^)=<+Q;=  
L}UrI&]V$:  
测试范围: -2qI2Z  
8O| w(z  
故障点定位、寻找近红外波段发光点 W!R7D%nX  
cof+iI~9O%  
测试内容: OD6dMql  
P/,ezVb=  
1.P-N接面漏电;P-N接面崩溃 %{B4M#~  
2.饱和区晶体管的热电子 Txa 2`2t7  
3.氧化层漏电流产生的光子激发 |<2<`3  
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题 :/\KVz'fw}  
   gHox>r6.A  
北软检测失效分析实验室,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析,为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。
查看本帖完整版本: [-- 半导体漏电定位技术emmi --] [-- top --]

Copyright © 2005-2025 光行天下 蜀ICP备06003254号-1 网站统计