| 探针台 |
2019-12-27 08:32 |
半导体漏电定位技术emmi
EMMI(微光显微镜) ?A0)L27UE& [attachment=97501] CGFDqCNr- 对于失效分析而言,微光显微镜是一种相当有用,且效率极高的分析工具,主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中,EHP Recombination会放出光子,例如:在PN Junction加偏压,此时N的电子很容易扩散到P, 而P的空穴也容易扩散至N,然后与P端的空穴做EHP Recombination。 $Kd>:f=A 侦测到亮点之情况 'fW-Y!k% 会产生亮点的缺陷:1.漏电结;2.解除毛刺;3.热电子效应;4闩锁效应; 5氧化层漏电;6多晶硅须;7衬底损失;8.物理损伤等。 ^f@=:eWI +ai<
q>+ 侦测不到亮点之情况 ,)io5nZF d_CT$ 不会出现亮点之故障:1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形(埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置);2.欧姆接触;3.金属互联短路;4.表面反型层;5.硅导电通路等。 H*6W q T>>c2$ x 点被遮蔽之情况:埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置,这种情况可采用Backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及抛光处理。 4z)]@:`}z k{0o9, [attachment=97502] 4!$"ayGv;D <naz+QK' 测试范围: 8EY:tzw M\=2uKG# 故障点定位、寻找近红外波段发光点 |?9HU~B ?cZlN! 测试内容: @nf`Gw ; DwF hK* 1.P-N接面漏电;P-N接面崩溃 qP;OaM
CX 2.饱和区晶体管的热电子 2qp#N% 3.氧化层漏电流产生的光子激发 JS77M-Ac 4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题 t,'<gI TZ`SZDc7_ 北软检测失效分析实验室,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析,为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。
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