双束聚焦离子束(Dual Beam FIB)

Dual Beam FIB(双束聚焦离子束)
双束聚焦离子束是一种多用途的分析技术，可以用于样品定位切割并将隐藏在各种基底材料中的缺陷揭露出来。最常见的用途之一就是制备TEM样品。双束FIB可以通过切断/连接芯片线路来进行芯片线路修改。

优势	局限
E=p+z"Ui - 横截面缺陷 GBbnR:hM - TEM快速样品制备 sI!H=bp-8 - 线路修改 `x`[hJ?i - 借助EDX配件进行元素定量分析	o[Jzx2A< - 晶片尺寸需要小于150mm ,KW Q 6 - 瀑布效应有时会给分析造成不便

L型横截面分析

锡须生长机理分析

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