| 探针台 |
2019-07-31 16:22 |
离子刻蚀RIE干法刻蚀
主要用途 1i_~ZzX8
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器件表面图形的刻蚀。 Bt Bo%t&
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性能参数 LOX[h$
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a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； zf$OC}|\w
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b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； Ki ^m&P
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c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s CUnZ}@?d
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d) [dk|lkj@u\
配置3路MFC L0UAS'hf
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应用范围 n >xhT r<
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对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。
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