| 探针台 |
2019-07-31 16:22 |
离子刻蚀RIE干法刻蚀
主要用途 6[h$r/GXh"
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器件表面图形的刻蚀。 wAOVH].
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性能参数 ,S0~:c:)
h. (;GJO
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； 'iISbOM
CygV _q
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； -J7 , Nw
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c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s 73z|'0.
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d) -b>O4_N
配置3路MFC ic]tUOC :
U:4Og8
r= H\4%P4
应用范围 [`-O-?=
k q.h\[
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。
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