| 探针台 |
2019-07-31 16:22 |
离子刻蚀RIE干法刻蚀
主要用途 K
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器件表面图形的刻蚀。
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性能参数 8Hf!@p6R+
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a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； A+T! DnVof
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b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； f~u]fpkz
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c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s 2B7X~t>8a
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配置3路MFC d*=P8QwL|
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应用范围 edqek jh
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对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。
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