| 探针台 |
2019-07-31 16:22 |
离子刻蚀RIE干法刻蚀
主要用途 e[Vk+Te7
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器件表面图形的刻蚀。 zC:Pg4=w]
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性能参数 %hmRh~/&
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a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； trjpq{,[U
y:Gn58\o
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； ]8"U)fzmc.
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c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s wjH1Om bt
7.
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配置3路MFC s 8's(*]
mA.,.< xE@
DC/Czkv9
应用范围
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对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。
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