| 探针台 |
2019-07-31 16:22 |
离子刻蚀RIE干法刻蚀
主要用途 r<( U N@T}
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器件表面图形的刻蚀。 _\IA[-C+O
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性能参数 <%w TI<m,-
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a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； p3-~cr.LD
&X~8S/nPAw
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； D0bpD
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c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s 1Z_w2D*
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d) %}N01P|X>
配置3路MFC Vr&
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应用范围 c CZ$ TH
89 m.,
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。
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