| 探针台 |
2019-07-31 16:17 |
漏电定位EMMI
主要用途 e+-#/i*
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当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 BKtb@o~(
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性能参数 poW%F zj
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a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； 9v`sSTlSd
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b)侦测波长范围900nm - 1700nm lSaX!${R'T
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c)像素尺寸：30um x 30um =TNFA t
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d)曝光时间 20ms - 400s Q"u2 <
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e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x q M rM^ ~
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f)Back side EMMI {+_p?8X
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应用范围 Vf~-v$YI
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1.P-N接面漏电 ?M&@# lbG
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2.饱和区晶体管的热电子 fXWE4^jU
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3.P-N接面崩溃 yp$jLBA
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4.闩锁效应 A s >Og
kP [fhOpn
5.氧化层漏电流产生的光子激发
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