| 探针台 |
2019-07-31 16:17 |
漏电定位EMMI
主要用途 W&~iO
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当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 61eKGcjs:
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Q,M/R6i-
性能参数 ;Cp/2A}Xx
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a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； !\D] \|Bo
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b)侦测波长范围900nm - 1700nm {$QF*j
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c)像素尺寸：30um x 30um nD?M;XN
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d)曝光时间 20ms - 400s 77=y!SDP
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e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x |yl0}. ()
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f)Back side EMMI :Ro"
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(Ss77~W7
应用范围 .]P;fCQmM
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1.P-N接面漏电 I>4Tbwy.-
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2.饱和区晶体管的热电子 =x.v*W]F`
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3.P-N接面崩溃 G>{:D'#
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4.闩锁效应 I9j+x ])
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5.氧化层漏电流产生的光子激发
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