| 探针台 |
2019-07-31 16:17 |
漏电定位EMMI
主要用途 =@MJEo` D
KuMH,rXF
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 ,m5tO
Oki{)Ssy
1/c+ug!y
性能参数 VhU ,("&pm
c4}|a1R\=
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； )%HIC@MM6
H_w?+Rig
b)侦测波长范围900nm - 1700nm j- t"
Uf~5Fc1d =
c)像素尺寸：30um x 30um l_P90zm39!
fiLlOr% r
d)曝光时间 20ms - 400s eCG{KCM~_Z
>txeo17Ba\
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x . $
HE
C9eisUM
f)Back side EMMI ,Eo\(j2F.
FDuIm,NI
"lL/OmG
应用范围 yn.[-
2fP;>0?
1.P-N接面漏电 }+K=>.
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2.饱和区晶体管的热电子 </W"e!?X
;dTxQ_:
3.P-N接面崩溃 x::d}PP7
gq~"Z[T
4.闩锁效应 5i%\m
\Npvm49
5.氧化层漏电流产生的光子激发
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