| 探针台 |
2019-07-31 16:17 |
漏电定位EMMI
主要用途 gg>O:np8
7j&iHL
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 #PzRhanX
Jon<?DQj
q 1Ja*=r
性能参数 &*wN@e(c
pq 4/>WzE
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； 2L#$WuM~^
c :S A #.
b)侦测波长范围900nm - 1700nm 9'tElpDJ6#
u? a* bW
c)像素尺寸：30um x 30um #S57SD
_H:mBk,,
d)曝光时间 20ms - 400s J2 "n:
vJheM*C
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x Gz]p2K Bg
f?_UT}n
f)Back side EMMI 3d qj:4[f
j4v.8 ;
L'dR;T[;
应用范围 YQyf:xJ
ZGUhje!
1.P-N接面漏电 /bE=]nM
~bSPtH
]6d
2.饱和区晶体管的热电子 #K8kz
IXp (Aeb
3.P-N接面崩溃 1m*fkM#
;(cq aB
4.闩锁效应 @`&kn;7T
qNI 2+<u)j
5.氧化层漏电流产生的光子激发
|
|