| xunjigd |
2018-09-15 12:19 |
OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的硅纳米锥
介绍 % dtn*NU D?dS/agA 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) Gv]94$'J9 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 "*HEXru#B 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 S
-,$ ( 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 ;9#%E daCkjDGl\ [attachment=86578] hKhad8 @/N]_2@8; [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) V:t{mu5j [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); %<8?$-[ UdcV<# 3D FDTD仿真 D'%M#S0 Bx)!I]gi_ 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) GB Vqc!d 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 -|u
yJh 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 5{ !"} 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 C \5yo 3A0Qjj= [attachment=86579] mQt0?c _ 2zbn8tO [attachment=86580] K[?@nl?,z v.sjWF 仿真结果 mm*nXJ C2b<is=H: [attachment=86581] X%og}Cfi rmC7!^/ 顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 DTsD<o `|&0j4(Pg 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um) (]?M=?0\ `2\:b^h [attachment=86582] ?MfwRWY .F%jbnKd_ (来源:讯技光电)
|
|