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2018-09-15 12:19 |
OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的硅纳米锥
介绍 ~:sE:9$z (3,.3)%` 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) S(eQ{rSs 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 "L&k)J 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 1D([@)^ 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 ZC^C \[wCp*;1} [attachment=86578] ?Ce#BwQ> Md;/nJO~{ [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) y@ek=fT%4 [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); `kN#4p eo#^L} 3D FDTD仿真 ;@4H5p U Lmg$T& 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) >N`6;gn*l 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 `QP
~ 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 y)J(K*x/$ 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 h!]"R<QQdu [!*xO?yCJ [attachment=86579] (hZ:X)E> f!GHEhQ9 [attachment=86580] 4,eQW[;kk T.?k>Ak 仿真结果 X1J;1hRUP CUmH,`hu [attachment=86581] &&RA4 (7q^FtjA# 顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 '
lo.h"" $@[)nvV\ 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um) 9k2,3It Uxl(9 6 [attachment=86582] Etnb3<^[t .;Y
x*] (来源:讯技光电)
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