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2018-09-15 12:19 |
OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的硅纳米锥
介绍 ?t P/VL ,PxQ[CGg 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) ^#nWgo7{7 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 3+uoK f[ 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 <s3( 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 Dx)XC?'xO *lF%8k"Al [attachment=86578] Z-!T(:E] fOervo [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) x}j41E} [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); @&yj7-] oF^hq-xcP 3D FDTD仿真 )B4c;O4t Q
kpmPQK 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) 8{t&8Ql n 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 74Wg@!P 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 BQg]$Tr? 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 YcZ4y@6" 6\@, Lb [attachment=86579] .LHe*J C 2=+ ,jX{ [attachment=86580] X6 cb#s0| dq(L1y870 仿真结果 kn|l 3+ A@'W $p?5r [attachment=86581] >f8,YisH XLxr~Yo 顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 [nD4\x+ ^4NH.q{ 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um) #ySx$WT; l/NK.Jr [attachment=86582] NZP,hAUK, Jl ?Q}SB (来源:讯技光电)
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