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2018-09-15 12:19 |
OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的硅纳米锥
介绍 _x lgsa IuTTMAt 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) MF1u8Yl:0 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 [fb -G5x 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 8xNKVj)@ 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 1
4|S^UM$ )~J/,\ [attachment=86578] >1r>cZn %=|I;kI? [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) !ine|NM [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); KL xg U9@q"v- 3D FDTD仿真 b w cPY TEYbB=. 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) ;[|x5o/< 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 3~
qgvAr 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 Ao,lEjN I 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 6L4B$'&KQZ H<qR^a [attachment=86579] h.c)+wz/%C ~"LOw_BRh [attachment=86580] ^awl-CG Sy8Og] a
仿真结果 zRKg>GG` "\BLi C [attachment=86581] \=QG6&_ #)\KV7f!; 顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 "c}bqoN u!F3Rh8D 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um) |~>8]3. Y D3jP hPy. [attachment=86582] Hv%a\WNS1 KsHMAp3 (来源:讯技光电)
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