| xunjigd |
2018-09-15 12:19 |
OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的硅纳米锥
介绍 xsjO)))f 4yaxl\2 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) +Z!;P
Z6 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 *?yJkJ" 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 !3oKmL5 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 #a| L3zR5v hJ5z/5aE; [attachment=86578] Q,Z*8FH= nK3k]gLc{ [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) :)jJge&^p [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); 44\>gI< .[DthEF 3D FDTD仿真 m}$+Hdk+7 6zIgQ4Bp24 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) 1\dn1Hh 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 6AN)vs} 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 ^D@b;EyK 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 "0jJh^vk Lt#'W [attachment=86579] {dPgf Io2mWvu?5 [attachment=86580] oKFT?"[X lH|LdlX 仿真结果 ~un%4]U `-B+JQmen [attachment=86581] lEPAP|~uw [O-sVYB 顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 /T0nLp`gi ;]CVb`d 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um) |0bc$ZY: LT+3q%W.UC [attachment=86582] d0er^ ~ =QV::/ (来源:讯技光电)
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