《
半导体薄膜技术与
物理》全面
系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲
激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。
G}BO!Z6 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体
材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。
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《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、
电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。
h+,zfVJu 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。
JT[|l-\zo 《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。
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f/*Xw {s# Ct|iZLh`j <3O> 第1章 真空技术
1W$ @ V! 1.1 真空的基本概念
%:N5k+} 1.1.1 真空的定义
IZi1N 1.1.2 真空度单位
c/x ^I{b* 1.1.3 真空区域划分
oq^#mJL 1.2 真空的获得
TN.mNl% 1.3 真空度测量
(t>BO`, 1.3.1 热传导真空计
SEIGs_^'\ 1.3.2 热阴极电离真空计
p r(:99~3 1.3.3 冷阴极电离真空计
G9N6iKP! 1.4 真空度对薄膜工艺的影响
3"6lPUS 参考文献
^7Z)/c`" LUHj3H 第2章 蒸发技术
*-3K],^a 2.1 发展历史与简介
,m8l
/wG 2.2 蒸发的种类
HB||'gIC 2.2.1 电阻热蒸发
,wlFn 2.2.2 电子束蒸发
deQ0)A 4g 2.2.3 高频感应蒸发
XBF#ILJ 2.2.4 激
光束蒸发
b5No>U) / 2.2.5 反应蒸发
pu0IhDMn 2.3 蒸发的应用实例
L'H'E, 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜
ucL}fnY1 2.3.2 ITO薄膜
Xb?P'nD 参考文献
crz )F" (}V.xi 第3章 溅射技术
,=Xr'7w, 3.1 溅射基本
原理 |k^'}n 3.2 溅射主要
参数 ,gUSW 3.2.1 溅射闽和溅射产额
Ra%RcUf~sh 3.2.2 溅射粒子的能量和速度
pTprU)sa7 3.2.3 溅射速率和淀积速率
_o'ii
VDuD 3.3 溅射装置及工艺
|bQKymS 3.3.1 阴极溅射
r0+lH:G*q 3.3.2 三极溅射和四极溅射
O7g
?x3 3.3.3 射频溅射
)c^Rc9e/ 3.3.4 磁控溅射
K``MS 3.3.5 反应溅射
plh.-" 3.4 离子成膜技术
Q0#oR[( 3.4.1 离子镀成膜
`J'xVq#O 3.4.2 离子束成膜
Xjw>Qws 3.5 溅射技术的应用
$.a<b^.Xi 3.5.1 溅射生长过程
}JeGjpAcV 3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能
COH0aNp; 参考文献
sG=D(n1 -Ds}kdxw 第4章 化学气相沉积
[ %cW ?@ 4.1 概述
yAy~|1} 4.2 硅化学气相沉积
n;@PaE^8= 4.2.1 CVD反应类型
Aq yR+ 4.2.2 CVD热力学分析
}%c2u/PQ 4.2.3 CVD动力学分析
MRR 5j;4GK 4.2.4 不同硅源的外延生长
%YkJA: 4.2.5 成核
f*,jhJ_I 4.2.6 掺杂
$A;jl`ng 4.2.7 外延层质量
(#k>cA(} 4.2.8 生长工艺
(dd+wx't 4.3 CVD技术的种类
,)TtI~6Q 4.3.1 常压CVD
lr'h 4.3.2 低压CVD
i,r O3Jn 4.3.3 超高真空CVD
.vE=527g) 4.4 能量增强CVD技术
V7[6jWgH 4.4.1 等离子增强CVD
twv|,kM 4.4.2 光增强CVD
![h+R@_( 4.5 卤素输运法
[=7=zV;}4 4.5.1 氯化物法
cKJf0S:cx- 4.5.2 氢化物法
jfP2n5X83 4.6 MOCVD技术
O-J;iX } 4.6.1 MOCVD简介
"(zvI>A 4.6.2 MOCVD生长GaAs
ZJ}9g(X..g 4.6.3 MOCVD生长GaN
W/!M
eTU&E 4.6.4 MOCVD生长ZnO
e/Wrm^]y 4.7 特色CVD技术
a"SH_+T{ 4.7.1 选择外延CVD技术
>L\$ 4.7.2 原子层外延
*oopdGue 参考文献
$\M<gW6 U_i%@{ 第5章 脉冲激光沉积
'n4Ro|kA 5.1 脉冲激光沉积概述
sL" h 5.2 PLD的基本原理
v%v(-, _q 5.2.1 激光与靶的相互作用
Q&+Jeji 5.2.2 烧蚀物的传输
pRWEBd1U 5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积
.B?6 5.3 颗粒物的抑制
O'm><a>8 5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用
jBZlNEw 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长
W!vN(1:( 5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长
Q6blX6DWU 参考文献
5&?[Vt ).U\,@[A{ 第6章 分子束外延
G &,1 NjSi 6.1 引言
qTSyy= 6.2 分子束外延的原理和特点
1 aWzd[i 6.3 外延生长设备
ha[c<e]uo[ 6.4 分子束外延生长硅
o>WB,i^ G 6.4.1 表面制备
=og>& K 6.4.2 外延生长
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