半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

发布:cyqdesign 2010-01-31 22:03 阅读:5281
半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 G}BO!Z6  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 K$ #(\-M  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 h+,zfVJu  
叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 JT[|l-\zo  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 yew9bn0a=  
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第1章 真空技术 1W$@ V!  
1.1 真空的基本概念 %:N5k+}  
1.1.1 真空的定义 I Zi1N  
1.1.2 真空度单位 c/x ^I{b*  
1.1.3 真空区域划分 oq^#mJL  
1.2 真空的获得 TN.mNl%  
1.3 真空度测量 (t>BO`,  
1.3.1 热传导真空计 SEIGs_^'\  
1.3.2 热阴极电离真空计 p r(:99~3  
1.3.3 冷阴极电离真空计 G9N6iKP!  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 3"6lPUS  
参考文献 ^7Z)/c`"  
LUHj3H  
第2章 蒸发技术 *-3K],^a  
2.1 发展历史与简介 ,m8l /wG  
2.2 蒸发的种类 HB||'gIC  
2.2.1 电阻热蒸发 ,wlF n  
2.2.2 电子束蒸发 deQ0)A 4g  
2.2.3 高频感应蒸发 XBF#ILJ  
2.2.4 激光束蒸发 b5No>U) /  
2.2.5 反应蒸发 pu0IhDMn  
2.3 蒸发的应用实例 L'H'E,  
2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜 ucL}fnY1  
2.3.2 ITO薄膜 Xb?P'nD  
参考文献 crz )F"  
(}V.xi  
第3章 溅射技术 ,=Xr'7w,  
3.1 溅射基本原理 |k^'}n  
3.2 溅射主要参数 ,gUSW  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 Ra%RcUf~sh  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 pTprU)sa7  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 _o'ii VDuD  
3.3 溅射装置及工艺 |b QKymS  
3.3.1 阴极溅射 r0+lH:G*q  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 O7g ?x3  
3.3.3 射频溅射 )c^Rc9e/  
3.3.4 磁控溅射 K``MS  
3.3.5 反应溅射 plh.-"   
3.4 离子成膜技术 Q0#oR [(  
3.4.1 离子镀成膜 `J'xVq#O  
3.4.2 离子束成膜 Xjw> Qws  
3.5 溅射技术的应用 $.a<b^.Xi  
3.5.1 溅射生长过程 }JeGjpAcV  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 COH0aNp;  
参考文献 sG=D(n1  
-Ds}kdxw  
第4章 化学气相沉积 [ %cW ?@  
4.1 概述 yAy~|1}  
4.2 硅化学气相沉积 n;@PaE^8=  
4.2.1 CVD反应类型 Aq yR+  
4.2.2 CVD热力学分析 }%c2u/PQ  
4.2.3 CVD动力学分析 MRR5j;4GK  
4.2.4 不同硅源的外延生长 %YkJ A:  
4.2.5 成核 f*,jhJ_I  
4.2.6 掺杂 $A;jl`ng  
4.2.7 外延层质量 (#k>cA(}  
4.2.8 生长工艺 (dd+wx't  
4.3 CVD技术的种类 ,)TtI~6Q  
4.3.1 常压CVD lr'h  
4.3.2 低压CVD i,r O3J n  
4.3.3 超高真空CVD .vE=527g)  
4.4 能量增强CVD技术 V7[6jW gH  
4.4.1 等离子增强CVD twv|,kM  
4.4.2 光增强CVD ![h+ R@_(  
4.5 卤素输运法 [=7=zV;}4  
4.5.1 氯化物法 cKJf0S:cx-  
4.5.2 氢化物法 jfP2n5X83  
4.6 MOCVD技术 O-J;iX}  
4.6.1 MOCVD简介 "(zvI>A  
4.6.2 MOCVD生长GaAs ZJ}9g(X..g  
4.6.3 MOCVD生长GaN W/!M eTU&E  
4.6.4 MOCVD生长ZnO e/Wrm^]y  
4.7 特色CVD技术 a"SH_+T{  
4.7.1 选择外延CVD技术 >L\$  
4.7.2 原子层外延 *oopdGue  
参考文献 $\M<gW6  
U_i%@{  
第5章 脉冲激光沉积 'n4Ro|kA  
5.1 脉冲激光沉积概述 sL" h  
5.2 PLD的基本原理 v%v(-, _q  
5.2.1 激光与靶的相互作用 Q&+Jeji  
5.2.2 烧蚀物的传输 pRWEBd1U  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 .B?6  
5.3 颗粒物的抑制 O'm><a>8  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 jBZlN Ew  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 W!vN (1:(  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 Q6blX6DWU  
参考文献 5&?[ Vt  
).U\,@[A{  
第6章 分子束外延 G&,1 NjSi  
6.1 引言 qTSyy=  
6.2 分子束外延的原理和特点 1 aWzd[i  
6.3 外延生长设备 ha[c<e]uo[  
6.4 分子束外延生长硅 o>WB,i^G  
6.4.1 表面制备 = og>& K  
6.4.2 外延生长 TL&`Ywy  
6.4.3 掺杂 KuBN_bd  
6.4.4 外延膜的质量诊断 ~o{GQ>  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 F6 mc<n  
6.5.1 MBE生长GaAs 0RHKzk6~c  
6.5.2 MBE生长InAs/GaAs I(^pIe-  
6.5.3 MBE生长GaN `+DH@ce  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 UWU(6J|Fk  
6.6.1 HgCdTe材料 eTg8I/ )%B  
6.6.2 CdTe/Si的外延生长 di.yh3N$  
6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长 a8 X}r.  
6.6.4 ZnSe、ZnTe o;'E("!<Z  
6.6.5 ZnO薄膜  +kA>^  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 CFE  ubEb  
6.7.1 SiC:材料 LR:PSgy  
6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点 {!RDb'Zp  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 @*?)S{8  
参考文献 uqz HS>GM  
\c ')9g@  
第7章 液相外延 ~[8n+p+&X  
7.1 液相外延生长的原理 F}1h  
7.1.1 液相外延基本概况 LZ#=Ks  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 4X-"yQ<U  
7.2 液相外延生长方法和设备 B":9C'tip  
7.3 液相外延生长的特点 jY;T:C-T  
7.4 液相外延的应用实例 Eep~3U  
7.4.1 硅材料 iGq%|o>  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 v~8Cp C  
7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料 [^Z)f<l  
7.4.4 SiC材料 &}'FC7}  
参考文献 9Lus,l\  
]& 8c 45c  
第8章 湿化学制备方法 J.E Bt3  
8.1 溶胶-凝胶技术 2[Ofa(mkkp  
y^!>'cdV  
第9章 半导体超晶格和量子阱 GLO%>&  
第10章 半导体器件制备技术 1NAGGr00  
参考文献 O2pntKI  
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最新评论

gqy271 2011-08-16 13:55
我都想要,只可惜带不出国外,所以最好是电子版的
maf999 2012-06-11 09:50
啥东东都卖
douyongming 2012-06-17 17:12
原来是做广告的
wangbiyi 2012-07-08 15:05
来是做广告
wdl_1984722 2012-08-06 19:58
没有讲到物理吧
awesome 2014-04-21 13:28
看目录不错的样子 K5rra%a-7  
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