半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 FIu^Qd  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 8:0,jnS  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 "|R75m,Id  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 <'BsQHI  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 4Y4zBD=<  

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第1章 真空技术 nwqA\  
1.1 真空的基本概念 h
-SKw=n  
1.1.1 真空的定义 PzhC *" i}  
1.1.2 真空度单位 ;vbMC74J#  
1.1.3 真空区域划分 (.L?sDQ</z  
1.2 真空的获得
FU.?n)P  
1.3 真空度测量 ,)aUp4*  
1.3.1 热传导真空计 )_?h;wh 84  
1.3.2 热阴极电离真空计 SUW=-M  
1.3.3 冷阴极电离真空计 v!$?;"d+  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 IYH4@v/#  
参考文献 sYvlf0  
.[3C  
第2章 蒸发技术 xO,;4uE  
2.1 发展历史与简介 V'UFc>{o  
2.2 蒸发的种类 k
Lpq{GUv:  
2.2.1 电阻热蒸发 !4 lN[  
2.2.2 电子束蒸发 :VLYF$|  
2.2.3 高频感应蒸发 _+~&t9A!  
2.2.4 激光束蒸发 "<%J^Z9G  
2.2.5 反应蒸发 0;`+e22  
2.3 蒸发的应用实例 ;18u02z^  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 */K]sQZa  
2.3.2 ITO薄膜 2v#gCou  
参考文献 wjgFe]  
y0/FyQs  
第3章 溅射技术 H0.A;`  
3.1 溅射基本原理 /NobS'd  
3.2 溅射主要参数 rw0s$~'  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 BNFYUcVP  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 `R-?+76?  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 V7O7"Q^q  
3.3 溅射装置及工艺 Np+pJc1  
3.3.1 阴极溅射 475g-t2"@  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 i->G{_gH  
3.3.3 射频溅射 ?[Ma" l>  
3.3.4 磁控溅射 \=&Z_6Mu  
3.3.5 反应溅射 rR#wbDr5  
3.4 离子成膜技术 [nrD4  
3.4.1 离子镀成膜 OjqT5<U  
3.4.2 离子束成膜 Nw-U*y  
3.5 溅射技术的应用 _#{qDG=  
3.5.1 溅射生长过程 ^=PY6!iW  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 i'^! SEt  
参考文献 XV`8Vb  
"}H2dn2n  
第4章 化学气相沉积 8s-X H  
4.1 概述 VwK7\jV  
4.2 硅化学气相沉积 =A$
d)&  
4.2.1 CVD反应类型 gkKNOus  
4.2.2 CVD热力学分析 GMoz$c6n_  
4.2.3 CVD动力学分析 +ef>ek  
4.2.4 不同硅源的外延生长 #TH(:I=[  
4.2.5 成核 t)~$p#NS  
4.2.6 掺杂 R\/tKZJjb  
4.2.7 外延层质量 |B64%w>Y  
4.2.8 生长工艺 s~o\j/  
4.3 CVD技术的种类 HEhBOER?  
4.3.1 常压CVD ~@[<y1g?nG  
4.3.2 低压CVD :m/qR74+"  
4.3.3 超高真空CVD FT J{  
4.4 能量增强CVD技术 >RpMw!NT  
4.4.1 等离子增强CVD 2+g'ul`  
4.4.2 光增强CVD R|U
u  
4.5 卤素输运法 y-gXGvZ  
4.5.1 氯化物法 /WK1(B:  
4.5.2 氢化物法 T,PN6d  
4.6 MOCVD技术 g@Y]$ey%A  
4.6.1 MOCVD简介 \YF07L]qs-  
4.6.2 MOCVD生长GaAs >xsY"N&1i'  
4.6.3 MOCVD生长GaN HNlW.y"  
4.6.4 MOCVD生长ZnO >*n4j:  
4.7 特色CVD技术 x{Dw?6TP  
4.7.1 选择外延CVD技术 eYUq0~3  
4.7.2 原子层外延 zvdIwV&oT  
参考文献 dNov= w  
A0v@L6m-O  
第5章 脉冲激光沉积 j7NOYm5N  
5.1 脉冲激光沉积概述 \(`C*d  
5.2 PLD的基本原理 4-$kcwA  
5.2.1 激光与靶的相互作用 D-x*RRkpp  
5.2.2 烧蚀物的传输 a( N;|<  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 C^,J6;'  
5.3 颗粒物的抑制 ~d ~oC$=TC  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 j8rxhToC  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 'UZ i>Ta  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 LW">9;n  
参考文献 CUBL/U\=  
%|j`;gYV  
第6章 分子束外延 aOsc_5XDR;  
6.1 引言 r
@wE?hK  
6.2 分子束外延的原理和特点 TB84}
  
6.3 外延生长设备 ((^vsKT  
6.4 分子束外延生长硅 ZU2D.Kf_:  
6.4.1 表面制备 I'N!j>5oX  
6.4.2 外延生长 ?MFXZ/3(ba  
6.4.3 掺杂 %/hokyx  
6.4.4 外延膜的质量诊断 Y/pK  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 $~?)E;S  
6.5.1 MBE生长GaAs ^$RpP+d  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs )M(//jX  
6.5.3 MBE生长GaN g9d/nRX&  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 lh!8u<yv*  
6.6.1 HgCdTe材料 $v"CQD  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 w6^TwjjZ$  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 V!e*J,g  
6.6.4 ZnSe、ZnTe WE-+WC!!:  
6.6.5 ZnO薄膜 ,jD-fL/:  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 ]+tO  
6.7.1 SiC：材料 jW[
EjhsH  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 f
3:dn7  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 L},o;p:  
参考文献 XjxI@VXzUV  
ft iAty0n  
第7章 液相外延 <7/7+_y  
7.1 液相外延生长的原理 U<'z,P
x6  
7.1.1 液相外延基本概况 &b2@+/ F  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 w[)HQ1K  
7.2 液相外延生长方法和设备 u~mpZ"9$ 3  
7.3 液相外延生长的特点 gb[.Ww  
7.4 液相外延的应用实例 r"\<+$ 7  
7.4.1 硅材料 %(s2{$3  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 [DTe
  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 L[Wi[S6=)g  
7.4.4 SiC材料 WW7E*kc  
参考文献 ]2|KG3t  
]J/;Xp  
第8章 湿化学制备方法 4e?cW&  
8.1 溶胶-凝胶技术 VwarU(*  
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第9章 半导体超晶格和量子阱 gAsjkNt?  
第10章 半导体器件制备技术 e%0IEX  
参考文献 `H^
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