300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm o`CM15d*7o
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm ft/k-64
780~1200 nm T ave <1% aA?Qr&]M
,[
2N3iH
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) a~yiLq
3rRIrrYO
H: Ta2O5 L:SiO2 }C @xl9S "
jga;q
該如何設計