300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm {TUCa
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm ed*=p
l3.
780~1200 nm T ave <1% iHQFieZ.E
,gD30Pylz
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) Gs*ea'T)
1&wZJP=
H: Ta2O5 L:SiO2 j>0S3P,
Na3tK}x
該如何設計