300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm |re}6#TgcT
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm .Jx9bIw
780~1200 nm T ave <1% ^3VR-u <O
*&BnF\?m
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) }`(N:p
7 c|bc6?
H: Ta2O5 L:SiO2 cD*}..-/4
k%s_0
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該如何設計