300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm mQ]wLPP{1
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm (6Sf#M
780~1200 nm T ave <1% M`kR2NCi
MOEB{~v`;
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) U<lCK!85[
:g[G&Ds8
H: Ta2O5 L:SiO2 Ug|o($CY
Z2dy|e(c
該如何設計