300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm DXLXGvcM
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm vA/SrX.
780~1200 nm T ave <1% >!=@TK(~
d05xn7%!{
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) .11l(M
OIrm9D#
H: Ta2O5 L:SiO2 $D^\[^S
,n/]ALz>~
該如何設計