在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: ~OvbMWu
• 生成材料 4E2/?3D
• 插入波导和输入平面 %xQ'i4`
• 编辑波导和输入平面的参数 *jPd=+d
• 运行仿真 XK@&$~iA3
• 选择输出数据文件 ANM=:EtP
• 运行仿真 2cIKph
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 g"kI1^[nj
3tJfh=r=1
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 oJ3(7Sz
e?B}^Dk0i
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: #-+Q]}fB4
• 定义MMI星型耦合器的材料 5$Kj#9g-#
• 定义布局设置 S^==$TT
• 创建MMI星形耦合器 o,c}L9nvt
• 运行模拟 P6La)U`VA
• 查看最大值 :FHEq~4
• 绘制输出波导 Meep
• 为输出波导分配路径 >$-YNZA
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 hAc|a9 o
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 U] GD6q
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 Jp}\@T.
1. 定义MMI星型耦合器的材料 ^ +@OiL>&i
要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 HQ7g0:-^a>
步骤 操作 lz<'
L.
.
1) 创建一个介电材料: Cc%{e9e*
名称:guide @n.n[zb\|
相对折射率(Re):3.3 9\WtcLx
2) 创建第二个介电材料 eiyr^Sch.
名称: cladding Z2})n
-
相对折射率(Re):3.27 -vT{D$&1
3) 点击保存来存储材料 :#?_4D!r
4) 创建以下通道: W}3%BWn
名称:channel iDl#foXa`
二维剖面定义材料: guide "M[&4'OM
5 点击保存来存储材料。 GQhy4ji'z
gt(p%~
2. 定义布局设置 x0ipk}
要定义布局设置,请执行以下步骤。 _
A#lyp
步骤 操作 6S_mfWsi
1) 键入以下设置。 Sa[lYMuB
a. Waveguide属性: !y/e
Fx
宽度:2.8 ZN;ondp4
配置文件:channel `O0Qtq.
b. Wafer尺寸: |?Edk7`
长度:1420 oe|;>0yf
宽度:60
)R'%SLw
c. 2D晶圆属性: 'Q :%s
材质:cladding ty"L&$bf
2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 k+P3z&e
2YY4 XHQS
3. 创建一个MMI星型耦合器 @{_X@Wv4iV
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 m;{HlDez
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 rXMc0SPk
步骤 操作 se2Y:v
1) 绘制和编辑第一个波导 p_&B+
<z
a. 起始偏移量: 'Rsr*gX#
水平:0 9{j`eAUZl
垂直:0 K\;4;6g
b. 终止偏移: ~1}fL 1~5
水平:100 c_+fA
垂直:0 4^:dmeMZ`
2) 绘制和编辑第二个波导 e Ru5/y~
a. 起始偏移量: 6Y,&