在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: +#i,87
• 生成材料 a8lo!e9q
• 插入波导和输入平面 y$;zTH_6j
• 编辑波导和输入平面的参数 iG;d0>Sp
• 运行仿真 IArpCF/"8
• 选择输出数据文件 (<5'ceF)X
• 运行仿真 ]9~#;M%1
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 !T&u2=`D
)nbyV a
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 MO(5-R`
6i?kkULBS
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: .n^O)|Z
• 定义MMI星型耦合器的材料 Nt,]00S\w
• 定义布局设置 Ri%Of:zZ
• 创建MMI星形耦合器 CM@"lV_
• 运行模拟 s>"WQ|;6
• 查看最大值 n=#[Mi $Y
• 绘制输出波导 st1M.}
• 为输出波导分配路径 ":ws~Zep
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果
:jN;l
• 添加输出波导并查看新的仿真结果
M\$<g
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果
# 8-P
1. 定义MMI星型耦合器的材料 Q%b46"
要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 CsQ}P)
步骤 操作 'DB({s
1) 创建一个介电材料: 7u&H*e7
名称:guide F0o18k_"
相对折射率(Re):3.3 z<C~DH
2) 创建第二个介电材料 8)2u@sx%
名称: cladding vr]dRStr
相对折射率(Re):3.27 v2dSC(hRZ
3) 点击保存来存储材料 :;gwdZ
4) 创建以下通道: 7zOvoQ}
名称:channel :[$i~V
二维剖面定义材料: guide D-;43>yi<
5 点击保存来存储材料。 [$ Xu
lf7H8k, -
2. 定义布局设置 gs2&0rnOy\
要定义布局设置,请执行以下步骤。 y5opdIaT
步骤 操作 jl?y}
1) 键入以下设置。 70 DQ/b
a. Waveguide属性: A5J#x6@
宽度:2.8 D\i8rqU/l
配置文件:channel hF?\K^tF
b. Wafer尺寸: Yv|bUZ@
长度:1420 Q!$kUcky9
宽度:60 l>Oe ,`9O
c. 2D晶圆属性: :O2v0Kx
材质:cladding ^gVbVz[17
2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 8B(Q7Qj
(j\UoKLRt
3. 创建一个MMI星型耦合器 Xwn|.
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 OTr!?xi
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 _KlPbyLU
步骤 操作 aG&kl O>m
1) 绘制和编辑第一个波导 P24
a. 起始偏移量: z@40g)R2A
水平:0 E"vi+'(v
垂直:0 "q#g/T
b. 终止偏移: 'G
By^hj?
水平:100 L``mF(R^
垂直:0 dYttse'
2) 绘制和编辑第二个波导 B?>#cpWj
a. 起始偏移量: 75cr!+
水平:100 enO=-#
垂直:0 7B> cmi
b. 终止偏移: I5 7<