在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: Mm+_>
• 生成材料 @/E5$mX`
• 插入波导和输入平面 WFsa8qv
• 编辑波导和输入平面的参数 d%u|)
=7
• 运行仿真 YeptYW@xfw
• 选择输出数据文件 Mw*R~OX
• 运行仿真 rRly0H
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 ~X*)gS-=
V)f/umT%g
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 4{[Df$'e>
L6J=m#Ld
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: ~4`LOROC
• 定义MMI星型耦合器的材料 iRBUX`0
• 定义布局设置 Qt+ K,LY
• 创建MMI星形耦合器 59FAhEg
• 运行模拟 Qf6Vj,~N
• 查看最大值 E,>/6AU
• 绘制输出波导 K8ecSs}}J
• 为输出波导分配路径 .FtW$Y~y
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 5BN!uUkm+
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 <A; R%\V
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 aP>%iRk'J!
1. 定义MMI星型耦合器的材料 -;Y*;xe
要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 WIa4!\Ky!
步骤 操作 ^Z$%OM,
1) 创建一个介电材料: )k.;.7dXe
名称:guide %J5zfNe)&
相对折射率(Re):3.3 ?MHVkGD
2) 创建第二个介电材料 Ze~^+ EE
名称: cladding \/xWsbG\
相对折射率(Re):3.27 PeEC|&x
3) 点击保存来存储材料 qfd/t<?|D
4) 创建以下通道: k id3@
名称:channel j,Eo/f+j5
二维剖面定义材料: guide _{_ybXG|
5 点击保存来存储材料。 uosFpa
`b=?z%LuT
2. 定义布局设置 U,_uy@fE=?
要定义布局设置,请执行以下步骤。 d OQU#5
步骤 操作 Gg]>S#^3
1) 键入以下设置。 WZOi,
a. Waveguide属性: d3v5^5kU
宽度:2.8 ^i&sQQ({
配置文件:channel "t$c'`
b. Wafer尺寸: )$p<BL U
长度:1420 "94e-Nx
宽度:60 swss#?.se
c. 2D晶圆属性: 9%^q?S/Rv
材质:cladding 0
XxU1w8\V
2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 {dM18;
ae`*0wbv
3. 创建一个MMI星型耦合器 3xj
?}o
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 9D#"Ey
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 s.d }*H-o
步骤 操作 v9QR,b`n
1) 绘制和编辑第一个波导 )kfj+/
a. 起始偏移量: vq-Tq>
水平:0 >k)}R|tJ
垂直:0 kq&xH;9=.
b. 终止偏移: u(iEuF;7
水平:100 #EQwl6
垂直:0 "xe % IS
2) 绘制和编辑第二个波导 FR"yGx#$
a. 起始偏移量: ];P$w.0
水平:100 ca%s$' d
垂直:0 L 1iA
^x
b. 终止偏移: Y3KKskhLx
水平:1420 ?:73O`sX:
垂直:0 p_pI=_:
c. 宽:48 DC4O@"
3) 单击OK,应用这些设置。 lO&TSPD^
n]c6nX:'
<Yif-9
4. 插入输入平面 \ <b-I
要插入输入平面,请执行以下步骤。 US3rkkgDO
步骤 操作 ye!}hm=w
1) 从绘制菜单中选择输入平面。 " |ZC2Zu<
2) 要插入输入平面,请单击布局窗口的左侧。 rG)K? B~
输入平面出现。 hUN]Lm6M
3) 要编辑输入平面,请从编辑菜单中选择属性。 }QrBN:a$(
出现“输入平面属性”对话框(参见图1)。 b{q-o <