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    [技术]SiO2膜层的可变角椭圆偏振光谱(VASE)分析 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2023-05-08
    可变角度椭圆偏振光谱仪(VASE)是一种常用的技术,由于其对光学参数的微小变化具有高灵敏度,而被用在许多使用薄膜结构的应用中,如半导体、光学涂层、数据存储、平板制造等。在本用例中,我们演示了VirtualLab Fusion中的椭圆偏振分析器在二氧化硅(SiO2)涂层上的使用。对于系统的参数,我们参考Woollam等人的工作 "可变角度椭圆偏振光谱仪(VASE)概述。I. 基本理论和典型应用",并研究该方法对轻微变化的涂层厚度有多敏感。 w[S2 ] <  
    4@&8jZ)a  
    kXFgvIpg<  
    )[.FUx  
    任务描述 /U4F\pZl  
    BA4qQCS;5  
    y)0r%=  
    3P2H!r  
    镀膜样品 {0 IEizQ|i  
    关于配置堆栈的更多信息。 .z^ePZ|mV  
    利用界面配置光栅结构 6}qp;mR E]  
    一般光栅组件能够对周期性结构进行建模。在各向同性的情况下,使用一个非常小的周期,以确保只有0阶会传播。二氧化硅层也是根据参考文献来定义的。 wf)T-]e  
    - 涂层厚度:10纳米 u]lf~EE  
    - 涂层材料。二氧化硅 jjN ]*{s  
    - 折射率:扩展的Cauchy模型。 F *_g3K!!  
    hX# y7m  
    𝐴 = 1.44, 𝐵 = 0.00422𝜇𝑚², 𝐶 = 1.89𝐸 - 05𝜇𝑚4 #2<.0@@ TI  
    - 基板材料:晶体硅 *e&OpVn  
    - 入射角度。75° =;#+8w=^  
    TRW{` b[  
    9tDo5 29  
    \dO9nwa?  
    椭圆偏振分析仪 .bE+dA6:v  
    A>8"8=C  
    Q x}\[  
    ;m`k#J?  
    椭圆偏振分析仪用于计算相位差𝛥,以及反射光束的振幅分量Ψ。 r-&Rjg  
    有关该分析仪的更多信息可在这里找到。 1S/KT4  
    3)b[C&`  
    椭圆偏振分析仪
    9%55R >s$  
    2+y<&[A8U  
    $$ma1.t"  
    8h  
    总结 - 组件... mxt fKPb  
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    1Tz5tU9kR  
    XUTI0  
    YC+}H3 3  
    yxP(|  
    椭圆偏振系数测量 gmtp/?>e  
    xF![3~~3[  
    椭圆偏振分析仪测量反射系数(s-和p-极化分量)的比率𝜌,并输出相位差𝛥,以及振幅分量Ψ,根据 Sqw:U|h\FS  
    ^x8*]Sz#x  
    ' P5t tI#|  
    xXkP(^ Y  
    在VirtualLab Fusion中,复数系数𝑅p和𝑅s是通过应用严格耦合波分析(RCWA),也被称为傅里叶模态法(FMM)来计算。因此,在研究光栅样品的情况下,这些系数也可以是特定衍射阶数的瑞利系数。 fn(< <FA)  
    /qM:;:N%j  
    @AET.qGC  
    LE#ko2#ke  
    椭圆偏振对小厚度变化的敏感性 nW#UBtZ  
    [*^` rQ  
    为了评估椭偏仪对涂层厚度即使是非常小的变化的敏感性,对10纳米厚的二氧化硅层和10.1纳米厚的二氧化硅膜的结果进行了比较。即使是厚度的微小变化,1埃的差异也高于普通椭圆偏振的分辨率(0.02°为𝑇,0.1°为𝛥*)。因此,即使是涂层中的亚纳米变化也可以通过椭偏仪来测量。 H*s_A/$  
    `L n,qiA  
    r1dP9MT\8  
    * 数值根据Woollam et al., Proc. SPIE 10294, 1029402 (1999) 0$Rl78>(  
    BSU%.tmI  
    仿真结果与参考文献的比较 |-t>_+. J'  
    Ldqn<wNnI  
    被研究的SiO2层厚度变化为1埃时,𝛹和𝛥的差异。 u By[x 0  
    H809gm3(Z  
    O_-Lm4g?4  
    {6}H}_( ]  
    VirtualLab Fusion技术 EMK>7 aks  
    bn$a7\X-  
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    #2AKO/  
    $hv o^$  
     
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