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1. 建模任务 %:o@IRTRU 1.1. 模拟条件 Za!c=(5 光源: EML Emitter (Unit source) *:.0c 偶极子方向: Polarization ke>\.|HT} Ex=Ey=1/Phase=-90˚, 90˚ (circular polarization) ]@J}f}Mjo 波长: 380~780 nm (10 nm step) "|DR"rr'j 视角: Theta: 0˚~90˚(10˚ step)/ Phi: 0˚~360˚(10˚ step) <J-OwO a-1 ?<frU ,{ 1.2 堆栈结构 VP 4t~$" FA^x|C =$
3r em"M (P#2Am$ 2. 建模过程 Xs?7Whc6 :e@JESlLf 2.1创建新的项目文件 qd|*vE X}zKV
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y e+R.0E 2.2 使用材质或层定义 1D 结构 5,AQ~_,'\ <Awx:lw.
jX&&@zMq Y0B*.H
Ae 2.3 设置和编辑膜层的属性(Emitter) e3>Re![_. GPx S.&
N~>?w#?J T%a]3 3. 结果分析 b$R>GQ?# deTbvl 极坐标图结果 nnGA_7-t V2FE|+R%g
x#8=drh.:C <uTsXv 等高线图结果 Mqh~ 5NM Ic=V:
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