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1. 建模任务 |@'K]$vZ* 1.1. 模拟条件 Z#kB+.U 光源: EML Emitter (Unit source) }1a(*s,s-^ 偶极子方向: Polarization ['6Sq@c) Ex=Ey=1/Phase=-90˚, 90˚ (circular polarization) s,|v,,<+ 波长: 380~780 nm (10 nm step) >V%.=})K 视角: Theta: 0˚~90˚(10˚ step)/ Phi: 0˚~360˚(10˚ step) +t]Ge
>S -2C^M> HZ 1.2 堆栈结构 &!+1GI9z
3r?T|>|
6OtNWbB a]8W32 2. 建模过程 kH[thRk} A=D
G+z'' 2.1创建新的项目文件 *~UK5Brf1 |uM=pm;H
=[TXH^.0 $9G".T 2.2 使用材质或层定义 1D 结构 x|Ms2.! k~QmDq
--vJR/- iQiXwEAi[ 2.3 设置和编辑膜层的属性(Emitter) w[^lxq GN+,9
(;N#Gqb6l c11;( 3. 结果分析 ZV-Yq !|t 83)m# 极坐标图结果 3)(uC+?[ JFkx=![
cNy*< Tv !H9zd\wc 等高线图结果 !Okl3
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