主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
MOmp{@ • 定义MMI耦合器的
材料;
xt"/e-h} • 定义布局设定;
~ab"q% • 创建一个MMI耦合器;
N]yk<55 • 插入输入面;
9AL\6@<a* • 运行
模拟;
%r! • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
t@v>eb &:jE+l 1. 定义MMI耦合器的材料 \aUbBa%! 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
}u+R,@l/ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
ESASsRzk 图1.初始性能对话框
c/2OR#$t |ns^'q 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
"ej>1{3Y:= 图2.轮廓设计窗口
~0 FqY&4 $C)@GGY 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
Z gU;=. 0 q3<RX>M% 图3.电介质材料创建窗口
{@,
L iy: ;g 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
kxUGd)S − Name : Guide
,.}PZL − Refractive Index (Re) : 3.3
IW BVfN->} − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
>LU*F|F]B 图4.创建Guide材料
) L{Tn8 "
^eq5?L 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
w6"LHy[ − Name : Cladding
_1R`xbV − Refractive Index (Re) : 3.27
wc,y+C#V − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
nf
G:4k, 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 s_*eX N
Io"=X!k 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
wA~Nfn
^ − Name : Guide_Channel
'FUPv61() − 2D profile definition: Guide
tt[_+e\4 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
ev guw*u 图6.构建通道
1[Mr2 @ 2. 定义布局设定 O@=mN*<gg0 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
<m6I)}K 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
<?J7Z| − Width:2.8
G#*!)#M < 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
ntkinbbD − Profile:Channel-Guide
``E;!r="v YJ6vyG>%C 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
p.}[!!m P 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
X%F9.<4 − Length:5300− Width:60
s]&y\Z
D&^:hs@ 图8.设置晶圆尺寸
\S@A
/t6pa 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
D!sSe|sL^ − 点击OK以激活布局窗口
nRE}F5k 
图9.晶圆材料设置
0Its;| 4) 布局窗口
^#Y6
E
jh?7+(Cw 图10.默认情况下布局窗口显示
Y}#^n7*w~ 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
P3
Evv]sB@ − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
s+w<!`-
h9-Ky@X` 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
G_<[sMC8
=dw1Q 图12.最终布局显示
z0UO<Y?9 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
E0hp%: 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
7 r<>^j'
#~f+F0#%? 图13 .绘制第一个线性波动
$^XPk#$m D7(t6C=FP mT>p:G