主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
z1T.\mzfX • 定义MMI耦合器的
材料;
tP"C>#LO • 定义布局设定;
]hS4'9lD • 创建一个MMI耦合器;
1 c3gHc7{t • 插入输入面;
rzLpVpTaz • 运行
模拟;
c:>&Bg&,6T • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
Ad9'q!_en ,kpkXK 1. 定义MMI耦合器的材料 vbmi_[,U 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
>y(;k|-$ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
(pREo/ T 图1.初始性能对话框
n0>#?ek12 @4sv(HyDY 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
X4Q?]{ 图2.轮廓设计窗口
+a"MSPC4w A=I]1r 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
1bYc^(z0 ['tGc{4 图3.电介质材料创建窗口
?`uY*+u VI74{='= 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
rNO'0Ck= − Name : Guide
QPg
QM6 − Refractive Index (Re) : 3.3
=v:vc~G6 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
vfK^^S 图4.创建Guide材料
$!G7u<`na l"f.eo0@7 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
ZMt9'w; − Name : Cladding
U rm&4&y − Refractive Index (Re) : 3.27
vCb3Ra~L` − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
B~D{p t3y 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 zFN:C()ig
QpBgG~h" 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
=$X5O&E3' − Name : Guide_Channel
p3&/F=T;) − 2D profile definition: Guide
V\W?@V9g- − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
Zz!XH8sH 图6.构建通道
SGXXv 2. 定义布局设定 _<6
^r 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
4&r[`gL 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
:"5i/Cx − Width:2.8
^vn8s~# 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
=kp#v − Profile:Channel-Guide
cV\(Z6u ZgP=maQk 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
Q})x4 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
}%c2u/PQ − Length:5300− Width:60
MCZTeYnx
64%P}On 图8.设置晶圆尺寸
Ew5(U`] 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
f=+|e"i#p − 点击OK以激活布局窗口
5Ev9u),D+v 
图9.晶圆材料设置
Dq/_^a/1 4) 布局窗口
qjFz}6
/BjM&v(5/ 图10.默认情况下布局窗口显示
9]< p 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
c@wSv2o$ − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
DzydS=`w
{F6>XuS=u 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
m2F2
,m;S-Im_Xr 图12.最终布局显示
cKJf0S:cx- 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
9^6E>S{= 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
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"(zvI>A 图13 .绘制第一个线性波动
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