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在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: -gb@BIV# • 生成材料 vhU
$GG8 • 插入波导和输入平面 ;Q5o38( • 编辑波导和输入平面的参数 RtaMrG=D • 运行仿真 z=rSb4"W • 选择输出数据文件 g</Mk^CE • 运行仿真 O `>u70 • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 =}+xD|T e:QH3|'y 教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 '?mky,:HT [F27i#'I] 本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: ^NxKA'oWQ • 定义MMI星型耦合器的材料 0SZ:C(] • 定义布局设置 Z+Fh I^ • 创建MMI星形耦合器 /)Weg1b • 运行模拟 "@xL9[d • 查看最大值 9.Sv"=5gz • 绘制输出波导 yW}x • 为输出波导分配路径 >+[{m<Eq • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 QA~Lm • 添加输出波导并查看新的仿真结果 EhOB+Mc1 • 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 clT[?8* 1. 定义MMI星型耦合器的材料 #\LYo{op/. 要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 4"+v:t)z6{ 步骤 操作 <Um 5w1 1) 创建一个介电材料: 6ZC~q=my 名称:guide GRgpy 相对折射率(Re):3.3 llpgi,-= 2) 创建第二个介电材料 .7Itbp6=R 名称: cladding
G/_8xmsU 相对折射率(Re):3.27 "(;t`,F 3) 点击保存来存储材料 |@MGGAk 4) 创建以下通道: =A/$[POr 名称:channel .`h:1FP8 二维剖面定义材料: guide S"Ag7i 5 点击保存来存储材料。 P[P]oT.N
!!v9\R4um 2. 定义布局设置 @WzrrCpj 要定义布局设置,请执行以下步骤。 A^7}:[s20 步骤 操作 vPu{xy 1) 键入以下设置。 ~=Fp0l)# a. Waveguide属性: ].N%A07 宽度:2.8 69``j{Z+ 配置文件:channel )dRBI)P b. Wafer尺寸: 0&6(y*
#Z 长度:1420 6[]O3Aa 宽度:60 >td\PW~X c. 2D晶圆属性: SiT5QJe 材质:cladding u< 5{H='6 2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 t,yMO /|[%~`?BM 3. 创建一个MMI星型耦合器 )m10IyUAY 由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 k=.pcDX 要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 8wzQr2: 步骤 操作 Y:5Gp8Vi 1) 绘制和编辑第一个波导 ju/#V}N a. 起始偏移量: )s8{|) - 水平:0 {mB &xz:b 垂直:0 DcNwtts b. 终止偏移: .:TSdusr~ 水平:100 @?[}\9dW 垂直:0 {pk&dB _Bu 2) 绘制和编辑第二个波导 8G_KbS a. 起始偏移量: M_#^zo
"x 水平:100 O['5/:- 垂直:0 2!6-+]tC b. 终止偏移: ,) 3Eog\- 水平:1420 -T .C?Q g 垂直:0 7j{63d`2 c. 宽:48 Qr*7bE(a 3) 单击OK,应用这些设置。 U$6(@&P! .OvH<%g!. jRSY`MU}t+ 4. 插入输入平面 d/` d:g 要插入输入平面,请执行以下步骤。 -ob1_0 步骤 操作 Xwk_QFv3 1) 从绘制菜单中选择输入平面。 rPoq~p[Y 2) 要插入输入平面,请单击布局窗口的左侧。 1H7bPl| 输入平面出现。 %9`\7h7K 3) 要编辑输入平面,请从编辑菜单中选择属性。 (p}N
cn. 出现“输入平面属性”对话框(参见图1)。 xw~&OF& 4) 确保在“全局数据”选项卡中,Z位置:偏移量,值为2.000。图1.输入平面属性对话框 @"BkLF qM0Df0$?x 5. 运行仿真 0D^c4[Y'l 要运行仿真,请执行以下步骤。 &l |