在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: XJ`!d\WL/!
• 生成材料 &7 YTz3aj
• 插入波导和输入平面 TvzqJ=
• 编辑波导和输入平面的参数 18AKM
• 运行仿真 M;{btu^a
• 选择输出数据文件 n!B*n(;!u
• 运行仿真 mXH\z
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 4{s3S2f=
d/k70Ybk
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 DhAQ|SdCf
tC,R^${#
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: &ZRriqsQg
• 定义MMI星型耦合器的材料 ,y+}0q-Ou
• 定义布局设置 k yFq
• 创建MMI星形耦合器 Q3$AL@".
• 运行模拟 U;7Cmti"
• 查看最大值 'w8k*@cQ
• 绘制输出波导 [a<ucJ
• 为输出波导分配路径 s5DEuu>g
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 J\BTrN 7
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 02lI-xHe
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 VoOh$&"M
1. 定义MMI星型耦合器的材料 OUd&fUmH
要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 \=O[' #
步骤 操作 |(Bc0sgw}
1) 创建一个介电材料: NEpomE(>x
名称:guide ya<nD '%9
相对折射率(Re):3.3 ` n*e8T
2) 创建第二个介电材料 P,|%7'? Y
名称: cladding VuOZZ7y
相对折射率(Re):3.27 7Z#r9Vr
3) 点击保存来存储材料 atW=xn
4) 创建以下通道: Qd %U(|
名称:channel P9Yw\
二维剖面定义材料: guide ,[
UqUEO
5 点击保存来存储材料。 #^+C
kHX
zT\nj&7
2. 定义布局设置 }, < dGmkx
要定义布局设置,请执行以下步骤。 X#bK.WN$
步骤 操作 < )dqv0=
1) 键入以下设置。 U.fLuKt
a. Waveguide属性: *?2aIz"
宽度:2.8 /Ria"lLv
配置文件:channel =i4%KF9x
b. Wafer尺寸:
zz)[4G
长度:1420 M@k8;_5
宽度:60 xnuu#@f
c. 2D晶圆属性: )Vn(J#s
材质:cladding D#=$? {w
2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 BwLggo
1Mf tq4nq
3. 创建一个MMI星型耦合器 Oy,7>vWQI
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 g[D(]t\#x
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 eSqKXmH[m
步骤 操作 ?5N7,|K)
1) 绘制和编辑第一个波导 N)kZ2|oD
a. 起始偏移量: TpB4VNi/<
水平:0 qhdY<[6
垂直:0 5^,"Ve|
b. 终止偏移: FZvh]ZX
水平:100 \]j{
垂直:0 '7oWN,-
2) 绘制和编辑第二个波导 6T?$m7c
a. 起始偏移量: >/r^l)`9_f
水平:100 %4=r .9
垂直:0 UJ/=RBfkJ
b. 终止偏移: s=Cu-.~L
水平:1420 oMb&a0-7u
垂直:0 ]4uY<9VL
c. 宽:48 qZV.~F+
3) 单击OK,应用这些设置。 g<