4寸、6寸低应力介质膜代工服务上线(LPCVD)

发布:米格实验室 2020-08-01 15:47 阅读:892
1. LPCVD简介 3%_ 4+zd  
,2RC|h^O,  
LPCVD--Low PressureChemical Vapor Deposition低压力化学气相沉积,是化学气相沉积中的一种,LPCVD拥有很均匀的阶梯覆盖性、很好的组成成分和结构的控制、高的output(通常一次可以生长50pcs甚至更多),另外LPCVD不需要载气,因此大大降低了颗粒的污染; mfu*o0   
半导体制程中,采用低压的目的是减小自掺杂(来自衬底本身的杂质),而这正是常压CVD面临的主要问题,LPCVD可以很好的解决这一问题。 di"C]" ;  
I/mvQxp  
2. LPCVD一般工艺流程 o lYPlH F  
j|&{e91,?  
装片——进舟——反应腔室抽真空——充N2吹扫并升温——再抽真空——保持压力稳定后process——关闭气体并重新抽真空——充N2至常压——取片。 wy,Jw3  
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