FinFET晶体管发明人胡正明获IEEE荣誉奖章

日前IEEE电子电器工程师协会宣布，FinFET晶体管发明人胡正明（Chenming Hu）获得了2020年的IEEE 荣誉奖章，这是IEEE协会的最高奖励，这一技术使得摩尔定律延寿了数十年。自从1965年，Intel联合创始人戈登·摩尔提出“摩尔定律”以来，半导体工艺一直按照这个规律发展，2年提升一倍的晶体管密度。 ^(^P#EEG  
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不过摩尔定律原本应该终结了，因为按照之类的发展，传统硅基半导体工艺制造难度越来越大，特别是在28nm工艺之后。 {.$7g8]I  
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胡正明教授在这个问题上贡献很大，他于1999年发明了FinFET晶体管，也叫鳍式晶体管或者3D晶体管，就是因为晶体管的形状与鱼鳍的相似性。 B1_9l3RM  
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FinFET晶体管的设计可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长，FinFET闸长已可小于25nm，未来预期可以进一步缩小至9nm，约是人类头发宽度的1万分之1。 "b`#RohCi  
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Intel在2012年正式量产了3D晶体管技术，首发的是22nm工艺，当时台积电、三星还停留在28nm工艺上，之后在16/14nm节点上他们才进入了FinFET晶体管时代。 aInt[D(  
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从这一点上来说，胡正明教授发明的FinFET技术不仅拯救了摩尔定律，Intel、AMD、NVIDIA、苹果、华为、高通、三星等半导体行业的公司都受益于胡正明教授的发明。