芯片结节漏电定位技术EMMI

发布:探针台 2020-04-02 11:43 阅读:2160
4u"O/rt  
EMMI(微光显微镜 b7=]"|c$@  
      对于失效分析而言,微光显微镜是一种相当有用,且效率极高的分析工具,主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中,EHP Recombination会放出光子,例如:在PN Junction加偏压,此时N的电子很容易扩散到P, 而P的空穴也容易扩散至N,然后与P端的空穴做EHP Recombination。 i8 dv|oa  
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芯片结节漏电定位技术EMMI {lqnn n3  
侦测到亮点之情况 FzW(An&x2  
会产生亮点的缺陷:1.漏电结;2.解除毛刺;3.热电子效应;4闩锁效应; 5氧化层漏电;6多晶硅须;7衬底损失;8.物理损伤等。 侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障:1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形(埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置);2.欧姆接触;3.金属互联短路;4.表面 反型层;5.硅导电通路等。 S c@g;+#QU  
点被遮蔽之情况:埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置,这种情 况可采用Backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及 抛光处理。 ]T+{]t  
q7X /"Dfx  
测试范围: {y :/9  
故障点定位、寻找近红外波段发光点 Yj;$hV8j(  
测试内容: B:Msn)C~  
1.P-N接面漏电;P-N接面崩溃 WM9QC59  
2.饱和区晶体管的热电子 PF4Cs3m/  
3.氧化层漏电流产生的光子激发 Ff.gRx  
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题
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