微电子中英文对照词典(一)微电子中英文对照词典 Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 {o a'@2|tN5Qi)PAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 .^Y.oN2T*mAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 :N"F3Z,W[Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Xaz\SpR ha(g)s半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAActive region 有源区 Active component 有源元 n_x0007_Z,|8QFi,C/l,V Active device 有源器件 Activation 激活 z,Ac_x0019_]&Wi Activation energy 激活能 Active region 有源(放大)区 love.2icMV f Admittance 导纳 Allowed band 允带 8`+? J5i_x001D_| { Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 6X}H}-Y"B0Plove.2ic.cnAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 e9C Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 5I/P v$y&b-l Amorphous 无定形的,非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 love. N ir\Ql7R Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 *I.BD8e Sli#qAnneal 退火 Anisotropic 各向异性的 love.2ic.cn*MDlz-V2C}7oM N Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 "["^Dk3d@#|x3c%iAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程 ;|!\N)q_x0019_Yz半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAAvalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 \v)T'f CAvalanche excitation雪崩激发 9^;wP_x0010__O$B半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FA v"]-l_/n3Qlove.2ic.cnBackground carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 4V s'X_x0016_X.zwX#kFm @ Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 1P+O3R[ g u8s!u I wBand 能带 Band gap 能带间隙 -HqERTQrBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层 )Va6}-AT d A$F*bBarrier width 势垒宽度 Base 基极 (G_x0010_z9g(Y*W j;hBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 dA)tT @6_!b ]'NE.f8NBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Dg8@3M Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 7y0Y LUML T0I半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FABias 偏置 Bilateraltch 双向开关 _x001D_{ q)}rq%t.m Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 "\_x0010_]8@4r_x001D_] Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 "a_x0016_Bu;y3R)N_x0010_DVu Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 ri#l6Ud^/__x0019_m'{Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 !qm9n_x0012_|@Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 .k[I/z*ns B Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 7Sr%WOvQ_x0007_{0^%B8nlove.2ic.cnBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 &O Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 [_x0016_pn,_h#M&?$v:n Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 T8S8@_x0019_@_x001D_Ep B7alove.2ic.cnBound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 DBreak down 击穿 Break over 转折 "I[ g}[2v"S Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 3Y8Jy4U7L7L ^1[CBuilt-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 \Z&s,T/ilove.2ic.cnBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 %I'V_x0007_o n%{_x0012_\ l Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 _x0012_MRP6Mw&Lz+G `Burn - in 老化 Burn out 烧毁 _x0012_f*Df8YBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 -R(dF_x001D_xD;H Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 半导体技术天地~-[`]Q*S(M'h3ai Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 g_x001D_Zh_x0012_Zp#B_x0007_PjCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 n;[ rS%[_x0007_j_4mCascade 级联 Case 管壳 8D-_ R'K't_x0019_VCathode 阴极 Center 中心 9]aw.bH'RX_x001D_~Ceramic 陶瓷(的) Channel 沟道 2}+F;R4y#S ebChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 Y z_x0016_`%{ L g1F a:h半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAChannel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 _x0012_O| P _!o#e{2|Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 半导体技术天地[S \ Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 8S9a-_W W5hQ7N)C.[ Hlove.2ic.cnCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 TU?/xP_x0019_T#ZyCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 dx\/l.b g S` LJE0GKChemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 _x0016_J2HgL6klove.2ic.cnChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 2H!uTb(? Ek'j Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 love.2ic.cn4O_0P_x0010_fN's Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 :I4}#V0m_w,yi半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 love.2ic.cn)am9?NC5J Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 半;F%fS#@%L Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 $tA Bmi,ztCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 半导r,chip,ic,process,layout,package,FA"Qm-}2A_x001D_b#V_x0012_NB Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 _jv(Z#]!Alove.2ic.cnCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 J9|&p8^"S&ig Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Cus)xV Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 Compensated impurities 补偿杂质 Compensated semiconductor 补偿半导体 &w b Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 X5\]X.e&xn:sO半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) 'X:{U-s9R8x~_x0007_G~互补金属氧化物半导体场效应晶体管 w Complementary error function 余误差函数 zN_!c;k ke)hkeComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 +_H6Nsc9z Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 ,N P zY3x&G4oConductor 导体 Conductivity 电导率 \ Configuration 组态 Conlomb 库仑 -X j4\u3iq4Cm Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 lT`QZJ#ZConstant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 }aj GYContact 接触 Contamination 治污AH ?[ Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 g F~ n%Xt9G D'\ p)@%TContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 L0W_J_x0010_t_x001D_^半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAContra doping 反掺杂 Controlled 受控的 0M6SaPu}Converter 转换器 Conveyer 传输器 |