芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 \-Vja{J]  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 O06 2c)vIY  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 ej91)3AO  
R?{f:,3R  
对于银浆烧结： =/5^/vwgY  
1，银浆问题 GFGW'}w-  
2，杂质问题 i+qtL3  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 &u`EYxT  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 0oK_uY 4g  
E)3Ah!  
对于合金粘结： =kzuU1s  
1，金-铅系统 kB` @M>[  
2，锡-铅系统 :o3>  
&?[g8A  
引线键合的失效机理： a = *'  
p!>5}f6  
引线键合的主要方法： _D 9/,n$  
   热压焊，超声焊，面键合。 CdZ. T/x  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） b>h L*9  
d`gKF  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 o75l
&`  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 Ql
i#=0{`  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 lVv'_9yg  
外引线的失效。 p[Zk;AT~  
n'To:  
开短路的可能原因： ARUzEo gcf  
,(i`gH{D  
封装工艺方面 +~K) ~  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 
,ZI#p6  
'yo-`nNFD  
芯片表面水汽吸附。 buldA5*!o  
钝化层不良。 `+h+X9  
芯片氧化层不良。 3xk-D &"  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 4wKQs&:  
电迁移。 frokl5L@  
(`&SV$m  
铝硅共溶。 |(<A)C  
金属间化合物。 D&o~4Qvc]  
芯片焊接疲劳。 U5 ia|V  
热不匹配。 s !IvUc7'  
外来异物。 2FN E ;y(  
氧化层台阶处金属膜断路。