晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 D=pI'5&  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 ;]O 7^s#v  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： e
5:l6`  
1、顶层设计 !MG>z\:  
2、仿真 m%[
2x#  
3、热设计及功耗 #/ gme  
4、资源利用、速率与工艺 *|.y
X%"k  
5、覆盖率要求 )MX1776kU  
6、 UU:QK{{E  
四、具体到测试有哪些需要关注： =:R[gdA#1  
1、可测试性设计 pN^G[  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 \VhpB   
3、可靠性测试 ED
=BZR  
4、故障与测试关系 R~seUW7uv"  
5、
$BO}D  
s"^YW+HMb  
测试有效性保证； L-X _b3E\  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ W
T
y8N  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 xr7<(:d  
" :nVigw&  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 oT5rX ,8  
晶圆的工艺参数监测dice， 5IF~]5s  
芯片失效分析13488683602 %;\2QI`R  
l.W1$g  
%~v76;H<  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 gCBZA;/  
/Z9`uK  
fN? Lz%z3  
0T{Y_IG  
Zv7$epDUz  
故障种类： DuC u6j  
缺陷种类： (k HQKQmq  
针对性测试： tZ{q\+h  
PFn[[~5V  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test kpMM%"=V  
V/[,1W[B  
`LHfAXKN  
EpS8,[w  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； qZ]VS/5A  
仿真与误差，
$A!h=]  
预研阶段 #,9TJ:~N  
顶层设计阶段 a_fW{;}[  
模块设计阶段 8J(zWV7 r  
模块实现阶段 kk7:A0._  
子系统仿真阶段 C5n=2luI_
 
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 (/P&;?j  
后端版面设计 ,8 NEnB  
测试矢量准备 Dp |FyP_w  
后端仿真 o%JIJ7M  
生产 V$F.`O!hfi  
硅片测试 Ak-7}i  
顶层设计： FoXQ]X7"  
书写功能需求说明 EF^=3  
顶层结构必备项 I!0+RP(  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 }
c#/1J7  
完成顶层结构设计说明 vgp%;-p(  
确定关键的模块（尽早开始） 1kw4'#J8  
确定需要的第三方IP模块 U$JIF/MO_  
选择开发组成员 ^{+:w:g  
确定新的开发工具 *t*&Q /W  
确定开发流程/路线 < 3+&DV-<N  
讨论风险 rxk{Li<9  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 A =#-u&l