芯片测试及晶圆测试

发布:探针台 2019-08-16 10:26 阅读:2281
/-^gK^  
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 z.e%AcX  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 `Wn0v2@a(~  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: $w[@L7'(  
1、顶层设计 xfkG&&  
2仿真 >|6[uKrO  
3、热设计及功耗 ]'~'V2Ey  
4、资源利用、速率与工艺 p|(910OEQ  
5、覆盖率要求 c*~/[:}  
6 T"kaOy  
四、具体到测试有哪些需要关注: b1nw,(hLY  
1、可测试性设计 lH:TE=|4  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 nP 2rN_:4  
3、可靠性测试 /y@$|DI1  
4、故障与测试关系 |A'8'z&q  
5 HQt=.#GW  
r5lp<md  
测试有效性保证; F m h;d*IT  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? nLto=tNUO  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 H!Uy4L~>  
-T4?5T_  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 &oTSff>p}  
晶圆的工艺参数监测dice AJt0l|F  
4mNL;O  
S.t+HwVodO  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 X]C-y,r[M  
m`nv4i#o  
   =<`9T_S 16  
故障种类: j,6dGb  
缺陷种类: i&mu=J[  
针对性测试: e`k 2g ^  
<G2;nvRr  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test vq(@B  
0RtqqNFD  
!fzqpl\ze  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; eW\7X%I  
仿真与误差, wF?THkdFo  
n 预研阶段 ^uIZs}=+  
n 顶层设计阶段 u;!CQ w/  
n 模块设计阶段 aODOc J N  
n 模块实现阶段 HxU.kcf  
n 系统仿真阶段 .Ks&r  
n 系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 :'1ePq  
n 后端版面设计 W zy8  
n 测试矢量准备 Iimz  
n 后端仿真 o2a`4K  
n 生产 Uk|Xs~@#E  
n 硅片测试 !?O:%QG  
顶层设计: 8* >6+"w  
n 书写功能需求说明 c{|soc[#  
n 顶层结构必备项 <^n9?[m*  
n 分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 2#T|+mKxZM  
n 完成顶层结构设计说明 Sh2q#7hf  
n 确定关键的模块(尽早开始) Gp; [WY\  
n 确定需要的第三方IP模块 p7zHP  
n 选择开发组成员 KM< M^l_Q  
n 确定新的开发工具 '(^p$=3|@D  
n 确定开发流程/路线 'e;*V$+  
n 讨论风险 | 2p\M?@  
n 预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 ""CJlqU  
n 国软检测 芯片失效分析中心
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