芯片失效分析常用方式

发布:探针台 2019-08-13 11:21 阅读:2683
芯片失效分析常用方式FIB X光probe;RIE;EMMI;decap;IV wR x5` @  
1.OM 显微镜观测,外观分析 >N&C-6W  
2.C-SAM(超声波扫描显微镜) `I\)Kk@*b9  
(1)材料内部的晶格结构,杂质颗粒,夹杂物,沉淀物, @V9qbr= Z  
(2) 内部裂纹。 (3)分层缺陷。(4)空洞,气泡,空隙等。 Ab"mX0n  
3. X-Ray 检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接,开路、短路或不正常连接的缺陷,封装中的锡球完整性。(这几种是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段) =:|fN3nJ2  
4.SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪(材料结构分析/缺陷观察,元素组成常规微区分析,精确测量元器件尺寸) 1z4s1 Y  
5.取die,开封 使用激光开封机和自动酸开封机将被检样品(不适用于陶瓷和金属封装)的封装外壳部分去除,使被检样品内部结构暴露。 |k # ~  
6. EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测(这三者属于常用漏电流路径分析手段,寻找发热点,LC要借助探针台,示波器) qtx5N)J6  
7.切割制样:使用切割制样模块将小样品进行固定,以方便后续实验进行 &$'=SL(Z  
8.去层:使用等离子刻蚀机(RIE)去除芯片内部的钝化层,使被检样品下层金属暴露,如需去除金属层观察下层结构,可利用研磨机进行研磨去层。 uSAb  
9. FIB做一些电路修改,切点观察 #ny&bJj  
10. Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试。 6{XdLI  
11. ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试(有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试,有些客户是失效发生后才想到要筛取良片送验)这些已经提到了多数常用手段。 SS4'yaQ  
除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段,原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF - SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统,能量损失 X 光微区分析系统等很多手段,不过这些项目不是很常用。
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