切点分析线路修改FIB

主要用途 \B')2phE  
Yh]a4l0  
芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。 VY/r2o#  
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|R 
O  
(U5XB [r_P  
性能参数 1<9d[N*  
ok--Jyhv#  
a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV 5{-Hg[+9  
p cD}SY
 
                - 离子束：500V~30kV Gh_5$@ hF  
9{u/|,rq1  
b)最小分辨率 - 电子束：0.8nm/30kV +!@xH];  
-AnJLFY  
              - 离子束：2.5nm/30kV 44QW&qL!(  
mTH[*Y,  
c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积 M]V j  
e|A=sCN-  
6 w!qZ4$  
应用范围 |%4nU#GoB  
+ o< 7*  
1.定点切割 .dzw5R&  

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2.穿透式电子显微镜试片 fwtsr>SV  
|vi=h2*  
3.IC线路修补和布局验证 heF'7ezv#  
}Bh\N5G%  
4.制程上异常观察分析 VIWH~UR)&!  
CEk[&39"  
5.晶相特性观察分析 #d8]cm=  
34k(:]56|  
6.故障位置定位用被动电压反差分析