漏电定位EMMI

主要用途 ^NJ]~h{n$  
wX}N===  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 dz/' m7  
x_9<&Aj6  
TR!^wB<F  
性能参数 34VyR a  
b?Wg|D  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； QS2J271E}  
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b)侦测波长范围900nm - 1700nm a%*l]S0z"  
VM{`CJ2  
c)像素尺寸：30um x 30um u2HkAPhD  
i^P@?  
d)曝光时间 20ms - 400s $>E\3npV  
%bf+Y7m  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x wUz
Q`h2  
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f)Back side EMMI j0J}d _  
Q,Tet&in )  
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应用范围 }qfr&Ffh@  
{#q']YDe`  
　1.P-N接面漏电 2}j2Bhc  
Li ,B,  
　2.饱和区晶体管的热电子 =jD[A>3I  
1@IRx{v$  
　3.P-N接面崩溃 OJE<2:K  
9@AGx<S1  
　4.闩锁效应 3nuf3)  
M,V+bt  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发