介绍 p@78Xmu?q
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要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间） 3sV$#l P
为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。 W)1nc"WqY
光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 iJOoO"Ai
注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果 ;8#6da,
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[1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) t!wbT79/
[2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); 4( , .< #
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3D FDTD仿真 ot7f?tF2<J
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要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间） uNy-r`vg
为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。 %x#S?GMV<
光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 ty!DMg #
注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果 y:\<FLR}j
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仿真结果 8]&Fu 3M^
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顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 q h bagw~
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底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um） dDiy_Q6
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（来源：讯技光电）
