介绍 r],%:imGr
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要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) -\p&18K#
为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 v2tVq_\AMx
光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 -0 xo6'mD
注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 " O
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[1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) g}R#0gkdk}
[2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); [f:&aS+
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3D FDTD仿真 48z%dBmTT*
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要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) 5$!idfDr|m
为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 t;Z9p7rk
光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 aoz+T h3
注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 \A^8KVE!
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仿真结果 Q\zaa9P
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顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 3~R,)fO;
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底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um) M]X!D7
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(来源:讯技光电)