介绍
NVghkd iciKjXJ: 要
模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间)
6DU~6c=) 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。
\-pqqSy 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
/vq$/ 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果
|p!($ {G0=A~
Vpne-PW NT0n[o^ [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
re_nb)4g [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
obE8iG@H =n5n 3D FDTD仿真
>+Ig<}p <#J5.I 1 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间)
cF4,dnI 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。
I?St}Tl 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
BPa,P_6( 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果
~+j2a3rv-{ #CPLvg#
T>]T= =6qTz3t
;@T0wd_i| 0
zK{)HZ 仿真结果
%59uR}\ i^e8.zgywF
/2zan} Cdib{y<ji 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
0Dna+V/jI $,2T~1tE 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um)
oz>2P.7 }^iqhUvT F
*<W8j[? /zt M' (来源:讯技
光电)