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    [分享]OptiFDTD应用:用于光纤入波导耦合的硅纳米锥 [复制链接]

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    离线xunjigd
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2018-09-15
    关键词: 光纤耦合纳米
    介绍 RWEgUDX^/  
    9DocId.  
    模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) y5opdIaT  
      为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 Ni;{\"Gt  
    光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 s t3]Yy  
    注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 !un"XI0`t<  
    4h2bk\z-  
    #IciNCIrG  
    Q!$kUcky9  
    [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) J1wGK|F~  
    [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); !&<Wc^PG  
    HoQ(1e$G-  
    3D FDTD仿真 UW~tS  
    {gq:sj>  
    要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间) Tu T=  
      为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。 Vt 5XC~jK  
    光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 <H(AS'  
    注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果 ieK'<%dxF  
    @eD2<e  
    U*#E aL  
    sRI=TE]s  
    X$Qi[=L  
    <GU(/S!}  
    仿真结果 Wn)A/Z ^r  
    1 bx^Pt)  
    3jQ$72_  
    4iB)oR  
    顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合 Ay. q)  
    I5 7<0  
    底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um) jZgnt{  
    S}oF7;'Ga  
    ;jfXU_K  
    D_`)T;<Sp  
    (来源:讯技光电
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    离线小志250
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    只看该作者 1楼 发表于: 2018-09-27
    MkIO0&0O  
    1 jd=R7  
    很好,学到了很多东西。。受益匪浅