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上海光机所在光电子神经突触研究方面取得新进展
回帖:莫尔超晶格中存在的深层电荷俘获态和平坦能带,使得光生载流子能够在较长时间内被束缚,延缓了复合过程,因此器件的突触权重在无外加能量的情况下仍能持久维持,实现了稳定的长期信息保留。这一物理机制有别于传统浮栅晶体管或阻变存储器中依赖离子迁移和导电细丝的方式,为提升人工突触的记忆时间提供了新思路。
bairuizheng
回帖于2026-07-24 00:08
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:上海光机所在光电子神经突触研究方面取得新进展
(
redplum
)
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:该研究从莫尔超晶格独特的周期势和电子结构出发,揭示了通过光与物质的相互作用实现稳定突触记忆 ..
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jeremiahchou
)
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