回帖：太赫兹技术被普遍认为是未来6G通信、成像与传感系统的关键发展方向之一。作为其核心器件，高速、低功耗的太赫兹波调制器直接承担着太赫兹通信与传感系统中信号调控的重要功能。然而，该领域的发展仍面临关键挑战：缺乏理想的材料平台与有效的主动调控手段。传统半导体材料（如Si、GaAs、CdTe等）虽具备较高的调制深度，但受限于载流子弛豫寿命，调制速度通常较慢；二维材料（如石墨烯、过渡金属硫化物）虽具有超快瞬态响应，但其原子级厚度限制了调制深度；而基于贵金属（如Au、Ag）构建的异质结构或超表面，大多仅能实现被动调制，且存在器件损耗大、响应迟缓等问题，难以满足高速太赫兹器件的需求。因此，亟需发展一种兼具高效太赫兹调制能力与超快载流子弛豫特性，同时结构简单、易于与现有半导体工艺兼容的新型材料。