回帖：针对现有GaN晶圆材料的非均匀性和SBD工艺偏差导致阵元间相位调节存在偏差的问题，该团队提出了基于差分进化的控制策略，使主瓣增益提升了4.2 dB，并有效抑制了旁瓣水平。在±45°扫描范围内，波束增益为18 dBi。基于该芯片，团队演示验证了目标的跟踪定位和信号的定向传输等功能。