回帖：这两例化合物具有强的二阶非线性光学响应，是AgGaS2的2.1至2.7倍，且材料的带隙为2.67至2.78 eV，属于宽带隙半导体，激光损伤阈值达到商用AgGaS2材料的4倍，有望用于高效、高功率长波红外激光的输出。值得一提的是，SrCdSiSe4为一同成分熔融化合物，具有较好的晶体生长习性，有利于实用化大尺寸单晶的生长。同时，实验及计算的结果表明，SrCdSiSe4和BaCdSiSe4化合物中优异的综合性能主要归因于、 和 优势基元的协同组装。