回帖：研究人员利用薄膜沉积技术，在常压室温下生长出高质量氧化铜薄膜。通过精确控制腔内的生长和流速，可以将晶体“转移”到特定方向。这些晶体基本上是立方体。当电子以体对角线穿过立方体，而不是沿着立方体的面或边缘移动时，材料性能会大幅跃升。电子移动得越远，性能就越好。